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... Substratähnliche Leiterplatte ( Substrate-Like PCB). SLP wird als die "nächste Generation der Leiterplatten" bezeichnet. Das L/S von SLP kann bis zu 20/35um betragen, verglichen mit 40/50um von HDI. SLP ist näher am IC- Substrat, ...
... Kundenspezifische keramische Substrate von INNOVACERA dienen als Basismaterialien für Leistungselektronik, Halbleitergehäuse und Mikroelektronik und bieten mechanische Unterstützung, elektrische Verbindungen und Wärmeableitung ...
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... ,99
Härte (HV): 60–110
Leitfähigkeit (MS/m): 58,6
Dicke (mm): 1,2; 1,0; 0,8; 0,5; 0,4; 0,3; 0,25; 0,2
AMB-
Substrat (allgemein)
Max. Größe (mm): 190 × 140
Leiterbahnabstand (mm): ≥0,5
Leiterbahnbreite: kundenspezifisch
Abziehfestigkeit ...
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... führt zu einem Substrat mit außergewöhnlicher Wärmeleitfähigkeit, geringer thermischer Ausdehnung, hoher Festigkeit und hervorragender Benetzbarkeit für Lötanwendungen. Materialeigenschaften von Direktgebundenen Kupfer-Keramik- Substraten - ...
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... verwendet, um die Lücken zu füllen und die Metallschicht zu verdicken, und die Lötbarkeit und Oxidationsbeständigkeit des Substrats wird durch Oberflächenbehandlung verbessert. Direktbeschichtetes Kupfersubstrat Hauptmerkmale : - Hervorragender ...
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... Siliziumnitrid (Si3N4) und SiC. Entwickelt für
Leistungselektronik, EV-Module und Hochspannungssysteme zur Kombination von Wärmemanagement und elektrischer Isolation.
Warum Ingenieure diese Substrate wählen
- Effizientes
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... ZTA), Siliziumnitrid (Si3N4) usw.) für
Leistungselektronik, EV-Module und Hochvolt-Systeme. Entwickelt, um thermisches Management und elektrische Isolation zu kombinieren.
Warum Ingenieure diese Substrate wählen
- Effizientes
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... Wärmeleitfähigkeit Sehr gute Temperaturwechselbeständigkeit Gute Wärmeverteilung, ohne Hot Spots Kann wie ein PCB- oder IMS- Substrat strukturiert werden Basis für die Chip-on-Board-Technologie ...
... Multilayer-Aluminiumnitrid (AlN) Substrat und Gehäuse — 170–180 W/m·K, bis zu 15 interne Routing-Lagen
Die AlN-Multilayer-
Substrate und -Gehäuse von TDK sind für Wide-Band-Gap-
Leistungselektronik ...
... SERS-aktive Substrate können in verschiedenen Formen verwendet werden: als Wafer mit verschiedenen Kombinationen von dielektrischen und metallischen Schichten (SERS- Substrate); kolloidale Nanopartikel, dimerisierte Nanopartikel ...
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