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Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V
... Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 30 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Kurzschlussfestigkeitszeit 10 ...
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