Rasterelektronenmikroskop mit fokussierter Ionensonde Helios 5 PFIB DualBeam

für Materialforschungfür Halbleiter3D

Plasma-fokussiertes Ionenstrahl-Rasterelektronenmikroskop für die TEM-Probenpräparation, einschließlich 3D-Charakterisierung, Querschnitt und Mikrobearbeitung. Das Thermo Scientific Helios 5 Plasma FIB (PFIB) DualBeam (fokussiertes Ionenstrahl-Rasterelektronenmikroskop oder FIB-SEM) bietet unübertroffene Möglichkeiten für materialwissenschaftliche und Halbleiteranwendungen. Für Materialwissenschaftler bietet das Helios 5 PFIB DualBeam großvolumige 3D-Charakterisierung, galliumfreie Probenpräparation und präzise Mikrobearbeitung. Für Hersteller von Halbleiterbauelementen, fortschrittlicher Verpackungstechnologie und Anzeigegeräten bietet das Helios 5 PFIB DualBeam eine beschädigungsfreie, großflächige Entschichtung, eine schnelle Probenvorbereitung und eine hochgenaue Fehleranalyse. Galliumfreie STEM- und TEM-Probenvorbereitung Hochwertige, galliumfreie TEM- und APT-Probenpräparation dank der neuen PFIB-Säule, die eine 500-V-Xe+-Endpolitur ermöglicht und unter allen Betriebsbedingungen eine hervorragende Leistung bietet. Fortschrittliche Automatisierung Schnellste und einfachste, automatisierte In-situ- und Ex-situ-TEM-Probenpräparation und Querschnittserstellung mit der optionalen AutoTEM 5-Software. Xenon-Plasma-FIB-Säule der nächsten Generation mit 2,5 μA Hoher Durchsatz und Qualität bei statistisch relevanter 3D-Charakterisierung, Querschliff und Mikrobearbeitung mit der 2,5 μA Xenon Plasma FIB Säule (PFIB) der nächsten Generation. Multimodale Untergrund- und 3D-Informationen Zugriff auf hochwertige, multimodale Untergrund- und 3D-Informationen mit präzisem Targeting der interessierenden Region mit der optionalen Auto Slice & View 4 (AS&V4) Software.