Glasplatte

Übersicht
Dreidimensionales Wafer-Level-Packaging (WLP) mit Durchkontaktierungen im Glas (TGV) ermöglicht die Miniaturisierung von Halbleitern und verbessert die HF-Eigenschaften durch metallische Verbindungen.

Eigenschaften

• Anodische Verbindung (Anodic bonding) mit Siliziumwafern möglich
• Klebstofffreier Prozess beseitigt Out‑gassing-Probleme
• Gute Hochfrequenzeigenschaften, geeignet für RF‑Anwendungen
• Niedrige Streukapazität im Vergleich zu TSV
• Niedrige Induktivität
• Niedriger elektrischer Widerstand durch metallische Via-Stäbe

Geeignet für WL-CSP MEMS‑Gehäuse

• Feine Via‑Pitch‑Toleranz
• Aufeinanderfolgender Pitch ≤ ±20 μm auf φ200 mm Wafern
• Aufeinanderfolgender Via‑Pitch ≤ ±20 μm
• Verfügbar bis φ200 mm Wafer

Endkundenmarkt / Anwendungen

• AV / Mobile: RF‑Schalter und Relais für Smartphones, mobile Geräte, Digitalkameras, Auto‑Navigation; Drucksensoren; Gyroskope; Beschleunigungssensoren; Bildsensoren
• Automotive: Drucksensoren; Beschleunigungssensoren; Gyroskope
• Halbleiter: RF‑MEMS‑Schalter; Bildsensoren
• Biotechnologie / Medizin: Drucksensoren für medizinische Geräte

Technische Daten

• Material: Borofloat 33, SW-YY
• Glasgröße: ≤ φ200 mm
• Min. Dicke: 0,3 mm
• Min. Via‑Durchmesser: φ0,15 mm
• Bohrdurchmesser‑Toleranz: ±0,02 mm
• Max. Seitenverhältnis (Tiefe:Durchmesser): 1 : 5
• Via‑Material: Si, W (Wolfram)
• Via‑Dichtheit (He‑Leak‑Test): 1×10^-9 Pa·m^3/s
• Via–Glas‑Spalt (Standard): 0 μm–3,0 μm
• Via–Glas‑Spalt (Option 1): 0 μm–1,0 μm
• Via–Glas‑Spalt (Option 2): -3,0 μm–0 μm
• Via‑Form: Gerade
• Hohlraum‑Bearbeitung: Verfügbar
• Metallisierung: Verfügbar
• Bump‑Verfahren: Verfügbar