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Gate-Treiber / MOSFET BD2320EFJ-LAIGBT
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Eigenschaften
- Merkmal
- MOSFET, IGBT
Beschreibung
Dieses Produkt garantiert eine langfristige Unterstützung im industriellen Markt. Der BD2320EFJ-LA ist ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer maximalen Spannung von 100 V, der externe Nch-FETs nach dem Bootstrap-Verfahren ansteuern kann. Der Treiber enthält eine 100-V-Bootstrap-Diode und eine unabhängige Eingangssteuerung für High-Side und Low-Side. Als Schnittstellenspannung stehen 3,3 V und 5,0 V zur Verfügung. Unterspannungsabschaltungen sind für High-Side und Low-Side eingebaut.
Kataloge
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36 Seiten
DC/DC Converter Selection Guide
40 Seiten
Automotive Regulator Selection Guide
44 Seiten
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