- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- Gate-Treiber / MOSFET
- ROHM Semiconductor
Gate-Treiber / MOSFET BD2320EFJ-LAIGBT
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Merkmal
- MOSFET, IGBT
Beschreibung
Dieses Produkt garantiert eine langfristige Unterstützung im industriellen Markt. Der BD2320EFJ-LA ist ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer maximalen Spannung von 100 V, der externe Nch-FETs nach dem Bootstrap-Verfahren ansteuern kann. Der Treiber enthält eine 100-V-Bootstrap-Diode und eine unabhängige Eingangssteuerung für High-Side und Low-Side. Als Schnittstellenspannung stehen 3,3 V und 5,0 V zur Verfügung. Unterspannungsabschaltungen sind für High-Side und Low-Side eingebaut.
Kataloge
Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.
Alle Kataloge von ROHM Semiconductor anzeigenWeitere Produkte von ROHM Semiconductor
Energieverwaltung
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Diode
- Transistormodul
- Leiterplatten-Widerstand
- Leistungswiderstand
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Dünnschichtwiderstand
- Bipolarer Transistor
- Dickschichtwiderstand
- Wandler IC / Leistung
- Diodenmodul
- Isolierter Wandler IC
- Hochleistungswiderstand
- Schneller Wandler IC
- Automobilschalter
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.