Infrarot-Fotodetektor RS615BM1
NahinfrarotInGaAsfür die zerstörungsfreie Prüfung ZfP

Infrarot-Fotodetektor - RS615BM1 - Raythink Technology Co., Ltd. - Nahinfrarot / InGaAs / für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP
Infrarot-Fotodetektor - RS615BM1 - Raythink Technology Co., Ltd. - Nahinfrarot / InGaAs / für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP
Infrarot-Fotodetektor - RS615BM1 - Raythink Technology Co., Ltd. - Nahinfrarot / InGaAs / für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP - Bild - 2
Infrarot-Fotodetektor - RS615BM1 - Raythink Technology Co., Ltd. - Nahinfrarot / InGaAs / für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP - Bild - 3
Infrarot-Fotodetektor - RS615BM1 - Raythink Technology Co., Ltd. - Nahinfrarot / InGaAs / für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP - Bild - 4
Infrarot-Fotodetektor - RS615BM1 - Raythink Technology Co., Ltd. - Nahinfrarot / InGaAs / für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP - Bild - 5
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen

Eigenschaften

Erkanntes Licht
Infrarot, Nahinfrarot
Typ
InGaAs
Anwendung
für die zerstörungsfreie Prüfung ZfP, Industrie
Weitere Eigenschaften
mit integriertem Temperaturregler, thermoelektrisch gekühlt, schnell

Beschreibung

Beschreibung
Der RS615BM1 ist ein kurzwelliger InGaAs-Bildebenendetektor mit einer Matrix von 640×512 und einem Pixelabstand von 15 μm. Er unterstützt hohe Bildraten und ROI-Fensterung und wird in einem hermetisch verschlossenen Metallgehäuse mit integriertem einstufigem TEC zur aktiven Temperaturregelung geliefert. Der Detektor weist einen geringen Stromverbrauch auf und eignet sich für verschiedene industrielle SWIR-Bildgebungsanwendungen.

Eigenschaften
  • Pixelabstand: 15 μm
  • Matrixgröße: 640×512
  • Max. Bildrate (Vollfenster): 400 fps @ 25 MHz
  • Typischer Stromverbrauch: ≤240 mW
  • Gehäuseabmessungen: 32,0×23,5×7,0 mm³ (ohne Pins)
  • Gerätegewicht: 25±2 g

Anwendungen
  • Bildverbesserung und SWIR-Bildgebung bei schwachem Licht
  • Maschinenvision und automatisierte Inspektion
  • Prüfung von photovoltaischen Zellen
  • Industrielles Sortieren und Materialidentifikation
  • Lasererkennung und -überwachung

Technische Spezifikationen
  • Sensor: InGaAs
  • Spektraler Ansprechbereich: 0,9 μm – 1,7 μm
  • Quantenwirkungsgrad: >70% (1,0 μm – 1,6 μm)
  • Optischer Fill-Faktor: 100%
  • Pixelabstand: 15 μm
  • Matrixgröße: 640×512
  • Effektive Pixelrate: ≥99,8%
  • Max. Bildrate (Vollfenster): 400 fps @ 25 MHz
  • Integrationsart: Global Shutter
  • Mindestintegrationszeit: 5 μs
  • Ausleserauschen (typ.): 30 e@20°C (Hochverstärkermodus)
  • Optionale Verstärkung: 3 Stufen
  • Mittlerer Dunkelstrom pro Pixel: ≤100 ke/s @20°C
  • Betriebsleistung: ≤240 mW
  • Ausgangssignalausschlag: 1,8±0,1 V
  • Dynamikbereich: ≥50 dB
  • Antwort-Uneinheitlichkeit: ≤5% (nicht korrigiert)
  • Gehäusetyp: Hermetisch verschlossenes Metallgehäuse (integrierter einstufiger TEC)
  • Gehäuseabmessungen: 32,0×23,5×7,0 mm³ (ohne Pins)
  • Gerätegewicht: 25±2 g
  • Betriebstemperatur: -40°C – +60°C
  • Lagerungstemperatur: -55°C – +70°C

Kataloge

Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.

Alle Kataloge von Raythink Technology Co., Ltd. anzeigen

Messen

Sie können diesen Hersteller auf den folgenden Messen antreffen

INTERSCHUTZ 2026
INTERSCHUTZ 2026

1-06 Juni 2026 HANNOVER (Deutschland)

  • Mehr Informationen
    Sensor+Test 2026
    Sensor+Test 2026

    9-11 Juni 2026 Nürnberg (Deutschland)

  • Mehr Informationen
    * Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.