Das eSL10™ Elektronenstrahl-Prüfsystem für strukturierte Wafer nutzt die branchenweit höchste Landeenergie und hohe Auflösung, um kleine physikalische Defekte und Defekte mit hohem Aspektverhältnis zu erfassen und so die Prozessentwicklung und Produktionsüberwachung für moderne Logik-, DRAM- und 3D-NAND-Bauelemente zu unterstützen. Mit einem innovativen elektronenoptischen Design erzeugt das eSL10™ eine hohe Strahlstromdichte bei kleiner Spotgröße und dem branchenweit größten Bereich an Betriebsbedingungen für die Defekterfassung in einer Reihe von anspruchsvollen Prozessschichten und Bauteilstrukturen. Der revolutionäre Yellowstone™-Scannermodus unterstützt den Hochgeschwindigkeitsbetrieb, ohne die Auflösung zu beeinträchtigen, und ermöglicht so die effiziente Untersuchung von vermuteten Hotspots oder die Entdeckung von Defekten in einem großen Chipbereich. Die branchenweit einzigartige Simul-6™-Technologie liefert in einem einzigen Scanvorgang Informationen über die Oberfläche, die Topografie, den Materialkontrast und tiefe Gräben und verkürzt so die Zeit, die für die Erfassung vollständiger Informationen über eine Vielzahl von Defekttypen erforderlich ist. Mit integrierter künstlicher Intelligenz (KI) verwendet der eSL10 SMARTs™ Deep-Learning-Algorithmen, die wichtige DOIs von Mustern und Prozessrauschen unterscheiden und so die Erfassung und Klassifizierung kritischer Defekte während der F&E und des Hochlaufs ermöglichen.
Hochauflösende Defekterfassung, Defektentdeckung, F&E-Prozessdebug, technische Analyse, Rampen- und Linienüberwachung
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