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Strom: 20 A
Spannung: 650 V
... GNP1070TC-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss、Ron*Coss) der Branche erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt, indem ...
ROHM Semiconductor
Strom: 12 A
Spannung: 40 V
... Der HT8KB5 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Hochleistungs-Gehäuse in kleiner Bauform (HSMT8) ♦Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 10 A
Spannung: 60 V
... Der HT8KC5 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Hochleistungs-Gehäuse in kleiner Bauform (HSMT8) ♦Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 95 A
Spannung: 40 V
... Der RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, der sich zum Schalten eignet. Niedriger Einschaltwiderstand Kleines Gehäuse für hohe Leistung (HSMT8) Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 60 A
Spannung: 150 V
... Der RS6R060BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen Niedriger Einschaltwiderstand Leistungsstarkes Gehäuse (HSOP8) Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform Halogenfrei 100% ...
ROHM Semiconductor
Strom: 210 A
Spannung: 40 V
Der RS6G120BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: 60 A
Spannung: 100 V
Der RS1P600BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Primär-Seiten-Schalter, Motor-Treiber und DC/DC-Wandler.
ROHM Semiconductor
Strom: 6,5 A
Spannung: 60 V
Der SH8KC6 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und ideal für Schaltanwendungen. Dieses Produkt enthält zwei 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8).
ROHM Semiconductor
Strom: 4 A
Spannung: 650 V
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des ...
ROHM Semiconductor
Strom: 3 A
Spannung: 800 V
Die R8xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte. Es handelt sich um Super Junction MOSFETs, bei denen ein hoher Wirkungsgrad im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch schnelles ...
ROHM Semiconductor
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