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Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen Energieverlust ...
Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...
Infineon Technologies AG
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste in Kombination mit ...
Strom: -0,5 A
Spannung: -50 V
... 50A02CH ist ein bipolarer Transistor, niedrige VCE(sat), PNP Single für Niederfrequenz-Allzweckverstärkeranwendungen. Anwendungen Niederfrequenz-Verstärker Hochgeschwindigkeitsschaltungen Kleiner Motorantrieb Muting-Schaltung Merkmale Hohe Kollektorstromfähigkeit Niedrige ...
Onsemi
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht die Integration ...
STMicroelectronics
Spannung: 7,5 V
... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen in Handfunkgeräten Der ...
Strom: 95 A
Spannung: 40 V
RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Spannung: -400 V - 1.000 V
... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. Zu ...
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen Gerät. Geringere ...
Power Integrations
Strom: 1 A - 5 A
Spannung: 12 V - 400 V
... Diodes ist Marktführer, wenn es um Bipolartransistoren geht. Durch die breite Palette an eigenen Gehäusen und die überlegene Siliziumtechnologie ist Diodes ideal positioniert, um Ihre Anwendungsanforderungen an Bipolartransistoren zu erfüllen. Kontinuierliche ...
... Buchsen für Power IC Standard Typ Einfach in Reihe ●Wie bestellen ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Anzahl der Positionen 2 bis 16 Durchschlagfestigkeit - - Isolationswiderstand - - Betriebstemperatur EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Anzahl der Stifte (2-16) Durch ...
JC CHERRY INC.
Spannung: 45 V
... Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren die im Epitaxie-Planar-Verfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierten Gehäuse vergossen werden und für allgemeine Hochstrom-Verstärkeranwendungen konzipiert ...
Central Semiconductor
Strom: 25 mA
Spannung: 20 V
... Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor Sattigungsspannung ...
Diotec
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus niedrigem Rauschmaß ...
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte in DBC-Technologie Typische ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Spannung: 8 V - 35 V
... Das Bluetooth-Modul ist ein Übergangsmodul für die Datenkommunikation zwischen Handy und Aggregat. Es ist über RS485 mit der Aggregatesteuerung verbunden. Über die mobile APP können Aggregatinformationen abgerufen und der Start/Stopp des Aggregats gesteuert ...
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