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Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...
... Toshiba bietet eine breite Palette von Bipolartransistoren für verschiedene Anwendungen an, darunter Hochfrequenz- (RF) und Stromversorgungsgeräte. ...
Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...
Infineon Technologies AG
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...
Strom: 5 A
Spannung: 500 V
... Buchsen für Leistungstransistoren 5.45mm / 0.215" Teilung Hohe Temperatur Geringe Ausgasung Hochzuverlässiger runder Kontakt mit guter elektrischer und mechanischer Leistung. Die Testfassungen für Leistungstransistoren eignen sich für ...
Strom: 5 A
... Sockel für Leistungstransistoren Für TO-247(4pin) Hohe Temp. ℃ Geringe Ausgasung Diese Testfassungen für Leistungstransistoren sind für das TO-247(4pin)-Gehäuse geeignet und können in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt werden. ...
Strom: 5 A
... Testfassungen für Leistungstransistoren, kundenspezifischer Pitch Hochstrom Teilung Standardtyp／Durchgangslochtyp Geringe Ausgasung Wenn Sie ein Gerät bewerten wollen, das nicht von den Standardspezifikationen unterstützt wird, müssen ...
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen ...
Power Integrations
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...
Strom: 20 A
Spannung: 650 V
... GNP1070TC-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss、Ron*Coss) der Branche erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt, indem ...
ROHM Semiconductor
... Fotokoppler für Kraftfahrzeuge (Transistorausgang, IC-Ausgang) sind in kleinen Gehäusen mit hoher Durchschlagsfestigkeit (3,75KV) und Hochtemperaturbetrieb bis 135 °C erhältlich. Dies erleichtert den Kunden das Design, einschließlich ...
Spannung: 7,5 V
... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen ...
Strom: -0,5 A
Spannung: -50 V
... 50A02CH ist ein bipolarer Transistor, niedrige VCE(sat), PNP Single für Niederfrequenz-Allzweckverstärkeranwendungen. Anwendungen Niederfrequenz-Verstärker Hochgeschwindigkeitsschaltungen Kleiner Motorantrieb Muting-Schaltung Merkmale Hohe ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette von intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) in Automobilqualität auf Basis der VIPower-Technologie (vertical intelligent power). Diese proprietäre Technologie ermöglicht die Integration ...
STMicroelectronics
Spannung: -400 V - 1.000 V
... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. ...
Spannung: 45 V
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...
Central Semiconductor
Strom: 1 A - 5 A
Spannung: 12 V - 400 V
... Diodes ist Marktführer, wenn es um Bipolartransistoren geht. Durch die breite Palette an eigenen Gehäusen und die überlegene Siliziumtechnologie ist Diodes ideal positioniert, um Ihre Anwendungsanforderungen an Bipolartransistoren zu ...
Strom: 25 mA
Spannung: 20 V
Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor ...
Diotec
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Spannung: 8 V - 35 V
... Das Bluetooth-Modul ist ein Übergangsmodul für die Datenkommunikation zwischen Handy und Aggregat. Es ist über RS485 mit der Aggregatesteuerung verbunden. Über die mobile APP können Aggregatinformationen abgerufen und der Start/Stopp ...
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