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Spannung: 60 V
... NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor Anwendungen Dieses Produkt ist universell einsetzbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen. ...
Onsemi
Strom: 15 A
Spannung: 60 V - 120 V
... Der bipolare Leistungstransistor ist für Hochleistungs-Audio-, Schrittmotor- und andere lineare Anwendungen konzipiert. Er kann auch in Leistungsschaltkreisen wie Relais- oder Solenoidtreibern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern oder für induktive ...
Onsemi
Strom: 15 A
Spannung: 60 V - 120 V
... Der bipolare Leistungstransistor ist für Hochleistungs-Audio-, Schrittmotor- und andere lineare Anwendungen konzipiert. Er kann auch in Leistungsschaltkreisen wie Relais- oder Solenoidtreibern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern oder für induktive ...
Onsemi
Strom: 10 A
Spannung: 100 V
... Der bipolare Leistungstransistor ist für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen vorgesehen, bei denen die Montagefläche des Bauelements vom Kühlkörper oder Gehäuse elektrisch isoliert sein muss. Merkmale Isoliertes Overmold-Gehäuse, Typ TO-220 Elektrisch ...
Onsemi
Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V
... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende ...
Onsemi
Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V
... Das SNXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, so dass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit ...
Onsemi
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode ...
STMicroelectronics
Strom: 30 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Kurzschlussfestigkeitszeit 10 ...
STMicroelectronics
Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V
... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO (V):45 UHR VEBO ...
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage Ultrakleines Oberflächenmontagegehäuse ...
Diodes Incorporated
Spannung: 11 V
... 3.2GHz Einheitsverstärkung für RF-Schaltanwendungen - Absolut bleifrei & vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 & 2) - Halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät (Hinweis 3) - Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit - PPAP-fähig (Anmerkung ...
Diodes Incorporated
Spannung: 50, 60, 7 V
... Der CMKT3920 von Central Semiconductor (zwei einzelne NPN-Transistoren) ist eine Doppelkombination in einem platzsparenden SOT-363 ULTRAmini™-Gehäuse, die für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit kleinen Signalen entwickelt wurde. MARKING ...
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