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Bourn And Koch bipolare Transistoren
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Strom: 15 A
Spannung: 140 V
... Bipolarer NPN-Leistungstransistor Die MJ15001 und MJ15002 sind Leistungstransistoren, die für Hochleistungs-Audio, Plattenkopfpositionierer und andere lineare Anwendungen entwickelt wurden. Merkmale Hoher sicherer Betriebsbereich (100% ...
Onsemi
Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V
... Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt ...
STMicroelectronics
Spannung: 0,24 V - 3,5 V
Spannung: 60 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington- Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen wird und für Anwendungen konzipiert ...
Central Semiconductor
Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V
... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal-MOSFET und NPN- Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage Ultrakleines ...
Diodes Incorporated
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