Leistungsmodul SEMITRANS 10+

Höhere Leistung auf dem bestehenden Fußabdruck erreichen Jetzt mit SEMITRANS 10+ Das SEMITRANS 10-Gehäuse ist der unangefochtene König in der Welt der Hochspannungswandler. Ob als Halbbrücke in 2-Level-Anwendungen mit 1200V und 1700V oder in einer 3-Level-NPC-Topologie basierend auf 1200V-Komponenten, der SEMITRANS 10 erfüllt die Anforderungen von Solar-, Windkraft- und Energiespeicheranwendungen. In der 1700V-Klasse ist der SEMITRANS 10 mit dem IGBT R8 und der bewährten SEMIKRON CAL 4-Diode erhältlich. Dies ermöglicht eine vollständige Multiple-Sourcing-Strategie bis auf Chip-Ebene. Als alternative Lösung führt SEMIKRON ein vollständig kompatibles Modul mit dem 1700V IGBT E4 und dem IGBT P4 mit 1000A bzw. 1400A ein. Beide Module können direkt in bestehende Designs integriert werden, wodurch der Anpassungs- und Abstimmungsaufwand minimiert wird, während gleichzeitig mehrere Stromversorgungsstrategien möglich sind. Mit dem SEMITRANS 10+ führt SEMIKRON die natürliche Erweiterung auf die nächste Stufe der Leistungsdichte ein. Ausgestattet mit der neuesten Generation von 7 IGBTs erreicht er einen neuen Nennstrom von 1800A in Halbbrücken-Konfigurationen. Der zusätzliche AC-Anschluss erweitert den Ausgangsstrombereich und unterstützt den leistungsstarken Chipsatz in seinem vollen Potenzial. Wie der Standard-SEMITRANS 10 ist auch der SEMITRANS 10+ eine Schlüsselkomponente für einen vollständigen Multiple-Sourcing-Ansatz Multiple Sourcing bis zur Chiplevel-Ebene: IGBT R8 und IGBT M7 Vollständig kompatibel mit dem Industriestandard: IGBT E4 und IGBT P4 Halbbrücke in 1200V/1700V Geteilte NPC-Topologie bei 1200 V mit IGBT M7 SEMITRANS 10+ mit zusätzlichem AC-Anschluss für höchste Leistungsdichte Sicherheit in der Lieferkette bis auf Chip-Ebene Höchste Leistungsdichte in renommierten Gehäusen