PIN-Fotodiode XSJ-10-G5-70

Beschreibung Diese hohe Datenrate 10Gbps Photodiode Chip ist GaAs oben beleuchtet PIN-Struktur. Eigenschaften ist hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, aktive Fläche Größe ist Φ70μm, Anode und Kathode Bond-Pad auf der Oberseite für TO-CAN-Paket Draht-Bond, Anwendung in Faserkanal-Datenübertragung, 10Gigabit Ethernet und Multi-Mode-Kommunikation etc. Merkmale Φ70μm aktive Fläche. Niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom. Hohe Verantwortung. Datenrate bis zu 10Gbps. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 10Gigabit BASE-SR Ethernet. 10Gbps Kurzstrecken-Datenkommunikation bei 850nm. Multimode-Datenkommunikation und Telekommunikation. 8Gbps Fiber Channel Datenübertragung. Faseroptische Transceiver-Empfänger und Transponder.