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Fotodiodenchips
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... Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, ...
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... Dieser 10Gbps-Photodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, die Größe der aktiven Fläche ist Φ50μm, Anode und Kathode Bond-Pad ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Dieser 10Gbps-Photodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, die Größe der aktiven Fläche ist Φ50μm, Anode und Kathode Bond-Pad ...
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... Dieser 25Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal (GS)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ16μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Dieser kantenbeleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode und Doppelkathode an der Oberseite. Edge detektierbaren Bereich Größe ist 100μmX80μm, und höhere Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Dieser 56GBaud-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ16μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Der XSJ-10-EMPD-120R ist ein kantenbeleuchteter InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit planarer Struktur und Anoden- und Kathodenkontakt an der Oberseite. Die Größe des detektierbaren Bereichs der Photodiode beträgt 120μmX60μm, was für kantenemittierende ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit einer Anode oben und einer Kathode auf der Rückseite. Die aktive Fläche ist Φ500μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... 112GBaud/200Gbps Von unten beleuchteter PIN PD Chip Einführung Dieser 112GBaud 200Gbps Photodiodenchip ist ein von unten beleuchteter PIN-Photodiodenchip mit Mesa-Struktur und hoher Datenrate, bei dem eine Φ90μm Linse auf der Unterseite des Chips integriert ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Leistungsstarker optischer Kopftransmitter für DSP-basierte optische Module für Rechenzentren mit 1,6 Tbps Wesentliche Merkmale Monolithisch integrierte Silizium-Photonik-Laser und -Modulatoren 224Gbps PAM4-Modulatoren ...
Die Interpolationsschaltkreise GC-IP201 und GC-IP201B dienen der Auflösungserhöhung für inkrementale Weg- und Winkelmesssysteme mit sinusförmigen Ausgangssignalen. Die Signale dieser Inkrementalsensoren werden einer von der AMAC patentierten internen ...
AMAC ASIC - und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH
Der Interpolationsschaltkreis GC-AIP40 dient zur Auflösungserhöhung von inkrementale Weg- und Winkelmeßsysteme mit sinusförmigen, um 90° phasenverschobenen Ausgangssignalen. Der IC ist sowohl für Sensoren mit einer standardisierten Spannungsbzw. Stromschnittstelle, ...
AMAC ASIC - und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH
... Multi Quantum Well Distributed Feedback Laser Direkte Modulation über 2,5 Gbps hinaus Ungekühlter Betrieb von -20°C bis +85 °C Entwickelt für Telcordia GR-468 Kleines Fernfeld Anwendungen PON, ACCESS, Optisches Ethernet, SDH ...
Die monolithische CMOS-Schaltung wandelt sowohl die Sinus- und Cosinus-Eingangssignale, als auch die analogen Referenzsignale in digitale Signale mit einstellbarem Teilungsfaktor (1, 2, 3, 4, 5, 8, 10) um. Das Referenzsignal für die Pulsweite ist zwischen ...
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