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- InGaAs-Fotodiode
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
InGaAs-Fotodiode XSJ-10-APD6-16AvalanchePINchip on carrier
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Eigenschaften
- Merkmal
- InGaAs, Avalanche
- Installierung
- PIN, chip on carrier
Beschreibung
Einführung
Dieser 25Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal (GS)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ16μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und findet Anwendung in 25G EPON, 5G Wireless und 100GBASE-ER4.
Eigenschaften
Φ16μm aktive Fläche.
Hohe Multiplikation.
Hohe Datenrate: 25Gbps und mehr.
Niedrige Kapazität.
Niedriger Temperaturkoeffizient.
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
100%ige Prüfung und Inspektion.
Anwendungen
25Gbps PON
100GBASE-ER4（ER4-lite）
5G Drahtlos.
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Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.