InGaAs-Fotodiode XSJ-10-D6-32

PIN

Beschreibung Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, vor allem Kombination mit Hochleistungs 25Gbps Transimpedanzverstärker (TIA), Anwendungen in Langstreckenanwendungen, hohe Datenrate bis zu 25Gbps mit Single-Mode-Faser optischen Empfänger. Merkmale Φ32μm aktive Fläche. Mesa-Struktur, Ground-Signal-Ground (GSG) Bondpad auf der Oberseite. Niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität. Hohe Verantwortung. Typ Bandbreite: 16GHz. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen nach Telcordia-GR-468-CORE erfüllt. 100%ige Prüfung und Inspektion. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 25Gbps Datenübertragung. 5G drahtlose Kommunikation.