InGaAs-Fotodiode XSJ-10-EMPD-120R

PIN

Beschreibung Der XSJ-10-EMPD-120R ist ein kantenbeleuchteter InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip, der eine planare Struktur mit Anodenkontakt und Kathodenkontakt an der Oberseite aufweist. Die Größe des detektierbaren Bereichs der Photodiode beträgt 120μmX60μm, was für kantenemittierende Laser geeignet ist, die in Rechenzentren und Telekommunikationsanwendungen verwendet werden, und bietet eine ausgezeichnete Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm. Die Produktabmessungen sind speziell auf ein nicht-hermetisches Gehäuse zugeschnitten. Merkmale PN-Bond-Pad auf der Oberseite und geeignet für nicht-hermetische Gehäuse. Erkennbarer Bereich an der Kante: 120μmX60μm. Hohe Verantwortung und niedriger Dunkelstrom. Niedrige Betriebsvorspannung. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar. Anwendungen Überwachung der Leistung von Rückfacettenlasern. Digitale optische FTTH-Kommunikation. Optische Zusammenschaltung.