InGaAs-Fotodiode XSJ-10-EMPD-120L

PIN

Beschreibung Der XSJ-10-EMPD-120L ist ein seitlich beleuchteter InGaAs-InP-PIN-Überwachungs-Photodetektorchip mit einer planaren Struktur. Die Anode und die Kathode befinden sich auf der Vorderseite, und das seitliche Detektionsfenster des Chips ist 120umX60um groß und eignet sich für Rechenzentren und kantenemittierende Laser der Telekommunikation. Er hat ein hohes Ansprechverhalten im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm und eignet sich für nicht luftdichtes Packaging. Merkmale 1. PN-Bond-Pad auf der Oberseite 2. Kantenerkennbarer Bereich: 120μmX60μm. 3. Hohe Verantwortung und niedriger Dunkelstrom. 4. 100% Prüfung und Inspektion. 5. Treffen Sie ein nicht-hermetisches Paket. 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 1. Überwachung der Laserleistung der Rückseitenfacette. 2. Digitale optische FTTH-Kommunikation. 3. Optische Zusammenschaltung.