Kammerofen SO2-12-F
elektrischfür das Luftumwälzung

Kammerofen
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Eigenschaften

Konfigurierung
Kammer
Wärmequelle
elektrisch
Atmosphäre
für das Luftumwälzung
Maximaltemperatur

Max: 450 °C
(842 °F)

Min: 70 °C
(158 °F)

Breite

3.000 mm
(118,11 in)

Höhe

3.105 mm
(122,24 in)

Tiefe

2.200 mm
(86,61 in)

Beschreibung

Dieser saubere Ofen verarbeitet 300-mm-Wafer (12-Zoll-Wafer) für die Halbleiterproduktion. Mit FOUPs können 50 Wafer pro Kammer vollautomatisch bearbeitet werden. Das System kann für die Niedertemperaturverarbeitung von Polyimid und anderen Materialien verwendet werden. Merkmale Vollautomatischer Reinigungsofen für FOUP-Betrieb Maximal 50 Wafer pro Kammer Ein Roboter ist für 2 Kammern verfügbar 2 FOUPs pro Kammer Hochgeschwindigkeits-Wafer-Transfer durch Doppel-Wafer-Handling-Roboter Dieser Reinraumofen für die Halbleiterproduktion wurde auf der Grundlage des meistverkauften FPD-Produktionsgeräts, dem Reinraumofen für die Einzelwaferverarbeitung, entwickelt. Dieser Ofen kann vollautomatisch mit 300-mm (12-Zoll) FOUPs betrieben werden. in jeder Kammer können 50 Wafer verarbeitet werden, und es können bis zu 2 Kammern installiert werden (2 FOUPs werden für jede Kammer verwendet). Bei der Verarbeitung von Polyimid und anderen Materialien bei niedrigen Temperaturen wird ein hoher Durchsatz in einer kurzen Zykluszeit erzielt.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.