Die Process Probe™ 1530 und 1535 instrumentierten Wafer werden zur Überwachung von In-situ-Temperaturen für eine Vielzahl von Prozessen verwendet, darunter Kaltwand, RTP, Sputtern, CVD, Plasmastripper und Epitaxiereaktoren. Die Process Probe 1530 und 1535 ermöglichen die direkte Echtzeitmessung der Wafertemperatur während jedes kritischen Schrittes des Prozesszyklus. Anhand dieser umfassenden Temperaturdaten können Prozessingenieure die Prozessbedingungen charakterisieren und fein abstimmen und so die Leistung der Prozessanlagen, die Waferqualität und die Ausbeute verbessern.
Anwendungen
Prozessentwicklung, Prozessqualifizierung, Prozesswerkzeugqualifizierung, Prozesswerkzeuganpassung
Kaltwand-Dünnschicht-Prozesskammern (1530), Heißwand-Dünnschicht-Prozesskammern (1535) | 0-1100°C
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