Messbuchse für Leistungstransistor T3P-HH-KL-250
Kelvin

Messbuchse für Leistungstransistor - T3P-HH-KL-250 - JC CHERRY INC. - Kelvin
Messbuchse für Leistungstransistor - T3P-HH-KL-250 - JC CHERRY INC. - Kelvin
Messbuchse für Leistungstransistor - T3P-HH-KL-250 - JC CHERRY INC. - Kelvin - Bild - 2
Messbuchse für Leistungstransistor - T3P-HH-KL-250 - JC CHERRY INC. - Kelvin - Bild - 3
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen

Eigenschaften

Anwendung
für Leistungstransistor
Merkmal
Kelvin

Beschreibung

Spezielle Spezifikation: Leistungs-Transistor-Sockel, Hochleistungstyp - Entwickelt zur Bewertung von SiC/GaN-MOSFETs mit Durchgangsbohrung. - Hoher Strom: DC50A bei 25℃ - Hitzebeständig: 250℃ max - Kelvin-Verbindung möglich Dieser Sockel ist für hohe Leistung ausgelegt und unterstützt das Testen einzelner Halbleiterbauelemente wie Leistungstransistoren und Thyristoren. Er eignet sich für Anwendungen mit hohem Strom und hoher Spannung. Akzeptable Gehäuse: TO-247, TO-3P, TO-254, TO-220 usw. (Einige Gehäuse sind möglicherweise nicht verwendbar.) Spezifikationen (P/N T3P-HH-KL-250): Steckhaltbarkeit: 10.000 Zyklen min Kontaktwiderstand: 20 mΩ max Strombelastbarkeit: DC50A bei 25℃ (Zwischen 1 und 2) AWG#10(5.5mm²) Raumtemperatur mit 30℃ T-Erhöhung Isolationswiderstand: 500MΩ min Spannungsfestigkeit: AC2000V 1 Minute bei 25℃ (Zwischen 1 und 2) Temperaturbereich: -55 bis +250°C (Einschließlich Temperaturerhöhung durch elektrischen Strom) Materialien: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast Kontakt: Kupferlegierung Akzeptables Gerät: TO-247, TO-3P, TO-254, TO-220 usw. Pinbelegung: 1: Drain 2: Source 3: Gate Verwendung: Setzen Sie das Gerät in den Einsteckschlitz oben am Testsockel ein. Ziehen Sie die drei Einstellschrauben mit einem Inbusschlüssel fest. Die Messvorbereitung ist abgeschlossen. Nach Abschluss des Tests schalten Sie die Stromversorgung aus und lösen die Einstellschraube. Entfernen Sie das Gerät. Kabelanschluss: Ein Verbindungsbeispiel wird unten gezeigt. Zusätzliche Hinweise: Bei der Befestigung des Sockels an einer Platine verwenden Sie eine Dicke von 1,6 bis 4,0 mm. Hochleistungstestsockel für SiC/GaN-MOSFETs Hoher Strom: DC50A bei 25℃ Hitzebeständig: bis zu 250℃ Kelvin-Verbindung möglich Akzeptable Gehäuse: TO-247, TO-3P, TO-254, TO-220 Steckhaltbarkeit: 10.000 Zyklen min Kontaktwiderstand: 20 mΩ max Isolationswiderstand: 500MΩ min Spannungsfestigkeit: AC2000V 1 min bei 25℃ Temperaturbereich: -55 bis +250°C Gehäusematerial: Hochtemperatur-Thermoplast Kontaktmaterial: Kupferlegierung

Kataloge

T
T
4 Seiten
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.