Fotovoltaischer Sensor / Infrarot P17442-011MS

InAsSb

Übersicht
Der P17442-011MS ist ein InAsSb photovoltaischer Infrarotdetektor, optimiert für Empfindlichkeit bis zur 5 µm Spektralbandzone. Hohe Empfindlichkeit wird durch spezielle Kristallwachstums- und Prozessierten sowie eine rückseitig beleuchtete Struktur erreicht, die den Temperaturkoeffizienten der Empfindlichkeit gegenüber frontbeleuchteten Typen verbessert. Die lichtempfindliche Fläche ist gegenüber den Serien P16112/P16612 vergrößert, um das Ausgangssignal zu erhöhen. Das Produkt ist RoHS-konform (kein Blei, Quecksilber oder Cadmium).

Wesentliche Positionierung
Hoch empfindlicher, schnell ansprechender IR-Einzelelement-Detektor (bis 5 µm). Vergrößerte lichtempfindliche Fläche für erhöhtes Ausgangssignal im Vergleich zu früheren Serien.

Eigenschaften

• Hohe Empfindlichkeit im mittleren IR-Bereich
• Schnelle Ansprechzeit, geeignet für Hochgeschwindigkeitsmessungen
• RoHS-konform (blei-, quecksilber-, cadmiumfrei)

Wichtige Produkthinweise

• Rückseitig beleuchtete Struktur verbessert den Temperaturkoeffizienten der Empfindlichkeit.
• Vergrößerte lichtempfindliche Fläche vs. P16112/P16612-Serien für ein höheres Ausgangssignal.
• Umweltfreundliche Konstruktion: kein Blei, Quecksilber oder Cadmium.

Spektrale / Leistungs-Highlights

• Typische Peak-Empfindlichkeitswellenlänge: 4.1 µm
• Typische Cutoff-Wellenlänge: 5.3 µm

Technische Spezifikationen

• Anzahl der Elemente: 1
• Lichtempfindliche Fläche: 1 × 1 mm
• Gehäuse: Metall
• Gehäusekategorie: TO-5
• Kühlung: Nicht gekühlt
• Peak-Empfindlichkeitswellenlänge (typ.): 4.1 µm
• Cutoff-Wellenlänge (typ.): 5.3 µm
• Photosensitivität (typ.): 65 mA/W
• Detectivity D* (typ.): 1.0 × 10^9 cm·Hz^1/2/W
• Äquivalente Rauschleistung (typ.): 1.0 × 10^-10 W/Hz^1/2
• Anstiegszeit (typ.): 15 ns
• Terminalkapazität (typ.): 100 pF
• Messbedingung: Ta = 25 °C, Detectivity D*: λ = λp, fc = 1200 Hz, Δf = 1 Hz