Fotovoltaische Sensoren

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Fotovoltaischer Sensor / UV
Fotovoltaischer Sensor / UV
3S-CS-MB

... immer exponierten, zusammen mit einem Schattierungsband und Montagematerialien. Der beschattete Sensor misst die diffuse Bestrahlung, während der exponierte Sensor die Bestrahlung der Array-Ebene (POA) misst, gemäß den ...

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PVA series

... PVA-3-1x1-TO39-NW-90 ist ein ungekühlter photovoltaischer IR-Detektor auf der Grundlage einer InAs-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität. Er ermöglicht den Nachweis von Strahlung im Bereich von 2,3 μm bis 3,5 μm. Seine aktive Fläche (A) ...

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Fotovoltaischer Sensor / IR
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PVIA-4TE-4-1x1-TO8-wAl2O3-36

... PVIA-4TE-4-1x1-TO8-wAl2O3-36 ist ein vierstufiger thermoelektrisch gekühlter (4TE) photovoltaischer IR-Detektor auf der Grundlage einer InAsSb-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität, der zur Verbesserung der Parameter optisch eingetaucht ...

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Fotovoltaischer Sensor / IR
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PVI series

... PVI-4-1x1-TO39-NW-36 ist ein ungekühlter photovoltaischer IR-Detektor auf der Grundlage einer HgCdTe-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität, der zur Verbesserung der Parameter optisch eingetaucht ist. Seine spezifische Wellenlänge (λspec) ...

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Fotovoltaischer Sensor / IR
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PVMQ-10.6-1x1-TO8-NW-70

... PVMQ-10.6-1x1-TO8-NW-70 ist ein ungekühlter photovoltaischer Quadranten-IR-Detektor auf Basis einer HgCdTe-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität. Seine spezifische Wellenlänge (λspec) beträgt 10,6 µm und seine vier aktiven Elemente, die ...

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Fotovoltaischer Sensor / IR
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PVA-3-d1.2-SMD-NW-115

... PVA-3-d1.2-SMD-NW-115 und PVA-3-d1.2-SMD-pAl2O3-115 sind ungekühlte photovoltaische IR-Detektoren auf der Grundlage einer InAs-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität. Er ermöglicht den Nachweis von Strahlung im Bereich von 1,3 μm bis 3,6 ...

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Fotovoltaischer Sensor / IR
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PVA-3-d1.2-SMD-BPF2920-B070-115

... PVA-3-d1.2-SMD-BPF2920-B070-115 ist ein ungekühlter photovoltaischer IR-Detektor auf der Grundlage einer InAs-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität. Der Durchmesser (dA) des aktiven Elements beträgt 1,2 mm. Der Detektor ist im SMD-Gehäuse ...

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PVMA-1TE-5-1x1-TO39-pSiAR-70

... PVMA-1TE-5-1x1-TO39-pSiAR-70 ist ein einstufiger thermoelektrisch gekühlter photovoltaischer IR-Mehrfachdetektor auf der Grundlage einer InAsSb-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität. Er ermöglicht den Nachweis von Strahlung im Bereich von ...

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PVI-2TE-6-1x1-TO8-wZnSeAR-36

... PVI-2TE-6-1x1-TO8-wZnSeAR-36 ist ein zweistufiger thermoelektrisch gekühlter (2TE) photovoltaischer IR-Detektor auf der Grundlage einer HgCdTe-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität, der zur Verbesserung der Parameter optisch eingetaucht ...

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PVM-10.6-1x1-TO39-NW-90

... PVM-10.6-1x1-TO39-NW-90 ist ein ungekühlter photovoltaischer Mehrfach-IR-Detektor auf der Grundlage einer HgCdTe-Heterostruktur für optimale Leistung und Stabilität. Seine spezifische Wellenlänge (λspec) beträgt 10,6 µm und seine aktive Fläche (A) ist ...

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IC0 series

... IC03110-01 ist ein Detektionsmodul mit einem ungekühlten photovoltaischen IR-Detektorchip auf der Basis einer InAsSb-Heterostruktur, der mit einem Transimpedanzverstärker vom Typ ASIC (anwendungsspezifische integrierte Schaltung) integriert ist. Das Modul ...

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