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... Prüfkosten.
Hauptmerkmale
- Konfigurierbares ATE für Niederspannungs- und Leistungsprodukte (Driver-ICs, IGBT, Power MOSFETs, Power ICs)
- Bis zu 48 parallele Prüfstellen für hohe UPH
- Hohe Ressourcendichte
... optional) und 2200 A, Schnellimpulsbetrieb und fA‑Level Strommessung und ermöglicht die Charakterisierung moderner Bauelemente wie
IGBT, GaN und SiC.
Modelle
- PST6747Ai: hohe Genauigkeit, ausgelegt für Forschung
... Systemsteuerungseinheit. Es eignet sich hauptsächlich für Leistungszyklustests und thermische Widerstandstests von Leistungshalbleitern wie IGBT (Si/SiC/GaN-Materialien), MOSFET, DIODE usw., um die Leistung von Leistungshalbleitern während ...
Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
... stabile und präzise Plattform zur Messung statischer Kennlinien von Leistungshalbleitern. Geeignet für statische Prüfungen von
IGBT, SiC und Dioden.
Datenblatt
(Das Datenblatt wird auf der Seite als Bild dargestellt)
Produkteigenschaften ...
Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
... ist ein automatisiertes System zur dynamischen/statischen Sortierungsprüfung von Bare Dies, hauptsächlich für SiC-MOS- und IGBT-Chips. Das System besteht aus dem Prüfhauptgerät, Automatisierungstechnik und Probe-Card-Assembly und misst ...
Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
... Leistungsprüfsystem-STS8203 Systemmerkmale： - Fokus auf den Test von diskreten Leistungsbauelementen wie MOSFET, Schottky, IGBT - 2000v/ 200A DC Testfähigkeit - UIS , DVDS und ZMU (Ciss/Coss/Crss/Rg) Testoption - Multifunktionaler Testmodus ...
... PMST Power Device Analyzer Statisches Testsystem für MOSFET BJT IGBT und SiC GaN Halbleiter Das Prüfsystem für statische Parameter von Leistungsbauelementen (PMST) integriert eine Vielzahl von Mess- und Analysefunktionen, ...
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