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Hauptmerkmale
- Konfigurierbares ATE für Niederspannungs- und Leistungsprodukte (Driver-ICs, IGBT, Power MOSFETs, Power ICs)
- Bis zu 48 parallele Prüfstellen für hohe UPH
- Hohe Ressourcendichte und modulare
... hauptsächlich für Leistungszyklustests und thermische Widerstandstests von Leistungshalbleitern wie IGBT (Si/SiC/GaN-Materialien), MOSFET, DIODE usw., um die Leistung von Leistungshalbleitern während der Lebensdauer zu bewerten. Funktionen Leistungszyklustest ...
Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
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Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
... Multi-Site- MOSFET- Testsystem-STS8202 System Merkmal: - MOSFET-Wafer-Test an bis zu 16 Standorten, 100V/10A pro Standort-Test - Hochspannungstest-Option bis zu 1000V - UIS-Testoption bis zu 10A - Andere ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
... Diskretes Leistungsprüfsystem-STS8203 Systemmerkmale： - Fokus auf den Test von diskreten Leistungsbauelementen wie MOSFET, Schottky, IGBT - 2000v/ 200A DC Testfähigkeit - UIS , DVDS und ZMU (Ciss/Coss/Crss/Rg) Testoption - Multifunktionaler ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
... PMST Power Device Analyzer Statisches Testsystem für MOSFET BJT IGBT und SiC GaN Halbleiter Das Prüfsystem für statische Parameter von Leistungsbauelementen (PMST) integriert eine Vielzahl von Mess- und Analysefunktionen, ...
Wuhan Precise Instrument Co.,Ltd
... Kapazitäts-Spannungs-Messungen (C-V) werden häufig zur Messung von Halbleiterparametern verwendet, insbesondere bei MOS-CAP- und MOSFET-Strukturen. Die Kapazität der MOS-Struktur (Metall-Oxid-Halbleiter) ist eine Funktion der angelegten ...
Wuhan Precise Instrument Co.,Ltd
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