InGaAs-Fotodioden

... - Aktive Fläche G15553-003C: φ0,3 mm - Miniaturgehäuse: 2 × 2 × 1 mm - Genaue Toleranz der Chip-Position: ±0,075 mm Der Chip dieses Produkts ist nicht versiegelt und liegt frei. Teile wie Elektroden auf dem Chip sind nicht durch ein ...

... Langer Wellenlängentyp (Grenzwellenlänge: 2,55 μm) Merkmale - Cutoff-Wellenlänge: 2,55 μm - Zweistufig TE-gekühlt - Kostengünstig - Lichtempfindliche Fläche: φ1 mm - Geringes Rauschen - Hohe Empfindlichkeit - Hohe Zuverlässigkeit - Schnelle ...

... Wir haben die Fotodiode und die Linse in den optimalen Positionen angeordnet, so dass diese InGaAs-PIN-Fotodiode des Buchsentyps deutlich weniger Mehrfachreflexionen im Inneren des Moduls ...

... Integrierte Fotodiode für Präzisionsfotometrie mit rauscharmem Verstärker [Lichtempfindliche Fläche: 2.4 × 2,4 mm (Si), φ1 mm (InGaAs), integrierter Zweifarbendetektor] Die Fotodiodenmodule der Serie ...

... InGaAs APD, die den Dunkelstrom stark reduziert Diese InGaAs-APD (Avalanche-Photodiode) reduziert den Dunkelstrom im Vergleich zu bestehenden Produkten durch den Einsatz einer neuen Bausteinstruktur und ...

... Der G8931-04 ist ein InGaAs-APD, der eine Hochgeschwindigkeitsreaktion von 2,5 Gbit/s liefert, die für Trunk-Line-Glasfaserkommunikation wie SONET (synchrones optisches Netzwerk), G-PON (Gigabit-fähiges passives optisches ...

... Beschreibung Dieser 10Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ40μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, ...

... Beschreibung Die 10Gbps APD optischen Detektor-Chip ist GSG Elektrode Struktur, für die Front in das Licht der High-Speed-Avalanche-Licht-Detektor-Chip, der lichtempfindlichen Bereich Größe ist 40um, die wichtigsten Merkmale des Produkts ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode ...

... Beschreibung Dieser 3,1-Gbps-Photodioden-Chip hat eine planare InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist ein von oben beleuchteter digitaler Photodioden-Chip mit einer aktiven Fläche von Φ60μm. Er zeichnet sich durch geringen ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode ...

... Beschreibung Dieser hochempfindliche Photodiodenchip (Super-PD-Chip) hat eine planare InGaAs/InP-Struktur. Merkmale sind hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom, Anwendung in 2.5Gbps GPON OUN ...

... Beschreibung Dieser 2,5-Gbps-Photodioden-Chip ist eine planare InGaAs/InP-PIN-Struktur und ein von oben beleuchteter digitaler Photodioden-Chip mit einer aktiven Fläche von Φ70μm. Er zeichnet sich durch niedrigen Dunkelstrom, ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode ...

... Beschreibung Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode oben und Kathode unten. Die aktive Fläche ist Φ200μm groß und hat eine hohe ...