InGaAs-Fotodiode XSJ-10-APD4-50T

AvalanchePIN

Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode auf der Rückseite aus. Die Größe der von oben beleuchteten aktiven Fläche beträgt Φ50μm für eine einfache optische Montage; hohe Empfindlichkeit, hoher Multiplikationsfaktor und niedriger Dunkelstrom. Der leistungsstarke 2.5Gbps APD-Chip und TIA kombiniert TO-CAN kann die Empfindlichkeit des optischen Empfängers verbessern, Anwendung in ermöglichen Datenübertragung für die heutige Fiber-to-the-Home (FTTH). Merkmale Φ50μm aktive Fläche. Anode auf der Oberseite und Kathode auf der Rückseite. Niedriger Dunkelstrom. Ausgezeichnete Empfindlichkeit und hohe Verstärkung. Datenübertragungsrate von bis zu 2,5 Gbit/s. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 2.5Gbps GPON/EPON OLT-Empfänger.