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... Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, ...
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... Dieser 10Gbps-Photodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, die Größe der aktiven Fläche ist Φ50μm, Anode und Kathode Bond-Pad ...
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... Dieser 10Gbps-Photodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, die Größe der aktiven Fläche ist Φ50μm, Anode und Kathode Bond-Pad ...
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... Dieser 25Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal (GS)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ16μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, ...
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... Dieser kantenbeleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode und Doppelkathode an der Oberseite. Edge detektierbaren Bereich Größe ist 100μmX80μm, und höhere Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich ...
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... Dieser 56GBaud-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ16μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, ...
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... Der XSJ-10-EMPD-120R ist ein kantenbeleuchteter InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit planarer Struktur und Anoden- und Kathodenkontakt an der Oberseite. Die Größe des detektierbaren Bereichs der Photodiode beträgt 120μmX60μm, was für kantenemittierende ...
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... Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit einer Anode oben und einer Kathode auf der Rückseite. Die aktive Fläche ist Φ500μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich ...
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... 112GBaud/200Gbps Von unten beleuchteter PIN PD Chip Einführung Dieser 112GBaud 200Gbps Photodiodenchip ist ein von unten beleuchteter PIN-Photodiodenchip mit Mesa-Struktur und hoher Datenrate, bei dem eine Φ90μm Linse auf der Unterseite des Chips integriert ...
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