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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... Leiterplatten-Leistungsmanagement, wenn ein P-Kanal
MOSFET im DPAK-Gehäuse benötigt wird.
Technische Eigenschaften / Spezifikationen
- Bauteiltyp: P-Kanal Leistungs-MOSFET
- VDS
Infineon Technologies AG
Strom: 40 A
Spannung: 40 V
... Kurze Beschreibung
Der BSZ063N04LS6 ist ein 40 V OptiMOS 6 Leistungs‑
MOSFET N‑Kanal, ausgelegt für SMPS, Batterieladegeräte und ORing‑Anwendungen. Er bietet eine um etwa 30% reduzierte RDS(on) gegenüber der Vorgängergeneration ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 20 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 18 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 9 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 101 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
Strom: 101 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie ...
Infineon Technologies AG
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