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Hall-Effekt-Magnetsensor DRV5032
mit SchaltfunktionSMDenergiesparend

Hall-Effekt-Magnetsensor - DRV5032 - Texas Instruments - mit Schaltfunktion / SMD / energiesparend
Hall-Effekt-Magnetsensor - DRV5032 - Texas Instruments - mit Schaltfunktion / SMD / energiesparend
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Eigenschaften

Technologie
Hall-Effekt
Weitere Eigenschaften
mit Schaltfunktion, SMD, energiesparend, mit omnipolarem Schalter

Beschreibung

Produktüberblick
Der DRV5032 ist ein Ultra‑Low‑Power Digital‑Switch Hall‑Effekt‑Sensor, ausgelegt für kompakte, batteriebetriebene Systeme. Er ist in mehreren magnetischen Schaltschwellen, wählbaren Abtastraten (5 Hz, 20 Hz, 80 Hz), Ausgangstreiber‑Varianten und Gehäuseformen erhältlich. Überschreitet die magnetische Flussdichte den BOP‑Schwellenwert, zieht das Ausgangssignal auf Low; bei Unterschreitung von BRP geht die Ausgabe je nach Version auf High oder hochohmig. Betriebsspannung: 1,65 V bis 5,5 V. Gehäuse: SOT-23, TO-92, X2SON.

Hauptmerkmale
  • Extrem geringer Stromverbrauch
    • 5 Hz Version: 0,54 µA
    • 20 Hz Versionen: ~1,3 µA
    • 80 Hz Version: 5,2 µA
  • Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 5,5 V
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +85 °C
  • Magnetische Schwellen (max. BOP):
    • DG: 3,4 mT
    • DU: 3,9 mT
    • FA/FB/FC/FD: 4,8 mT
    • AJ: 9,5 mT
    • ZE: 63 mT
  • Omnipolare und unipolare Varianten
  • Open‑Drain und Push‑Pull Ausgänge
  • Gehäuseoptionen: SOT-23 (DBZ), X2SON (DMR), TO-92 (LPG)


Parameter (repräsentative Werte)
Typ: Omnipolar switch, Unipolar switch
Operate point (typ) (mT): 2,5 ; 3
Operate point (max) (mT): 3,4 ; 3,9 ; 4,8
Release point (min) (mT): 0,5 ; 0,9
Versorgungsstrom (µA): 0,54, 0,69, 1,06, 1,3, 1,6, 2,3, 5,2, 5,7, 6
Bandbreite (kHz): 0,005 ; 0,02 ; 0,08
Versorgungsspannung: 1,65 V – 5,5 V
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Ausgang: Open‑Drain, Push‑Pull

Funktionale Beschreibung
Das Bauteil tastet das Magnetfeld mittels internem Oszillator ab und aktualisiert den digitalen Ausgang mit der gewählten Abtastrate. Varianten ermöglichen Kompromisse zwischen minimalem Stromverbrauch und höherer Reaktionsgeschwindigkeit. Das Ausgangsverhalten (low, high oder hochohmig) hängt von der gewählten Ausgangsvariante und dem magnetischen Schwellenwert ab. Verschiedene Gehäuseoptionen erleichtern die Integration in SMD‑ oder Through‑Hole‑Designs.

Anwendungen
  • Batterieempfindliche und kompakte Systeme
  • Positions‑ und Präsenzdetektion (Tür-/Fensterkontakte, Manipulationsschutz)
  • HMI‑Schalter, Rocker/Trigger‑Sensoren
  • Anwendungen, die magnetische Schaltfunktionen mit extrem geringem Verbrauch erfordern


Technische Daten
  • Bauteiltyp: Ultra‑Low‑Power Digital‑Switch Hall‑Effekt‑Sensor (DRV5032)
  • Magnetische Antwort: Omnipolar und Unipolar
  • Abtastraten: 5 Hz, 20 Hz, 80 Hz
  • Versorgungsspannung: 1,65 V bis 5,5 V
  • Versorgungsstrom (Beispiele): ab 0,54 µA (5 Hz) bis ~6 µA (andere Varianten)
  • Magnetische Schwellen (BOP max): DG 3,4 mT, DU 3,9 mT, FA/FB/FC/FD 4,8 mT, AJ 9,5 mT, ZE 63 mT
  • Bandbreitenoptionen: 0,005 kHz, 0,02 kHz, 0,08 kHz
  • Ausgangstypen: Open‑Drain oder Push‑Pull
  • Gehäuse: SOT-23 (DBZ), TO-92 (LPG), X2SON (DMR)
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.