MOSFET RVF4N90F/MJ

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG RVF4N90F/MJ ist ein N-Kanal Enhancement Mode Power MOS Feldeffekttransistor, der mit der von Rongtec entwickelten F-Cell™ Struktur VDMOS Technologie hergestellt wird. Die verbesserte planare Streifenzelle und die verbesserte Schutzringklemme wurden speziell entwickelt, um den Widerstand im Betriebszustand zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und hochenergetischen Impulsen im Lawinen- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Geräte werden häufig in AC-DC-Netzteilen, DC-DC-Wandlern und H-Brücken-PWM-Motortreibern eingesetzt. FEATURES ♦Low Gate-Ladung ♦Low Crss ♦Fast Vermittlung ♦Improved dv/dtcapability