MOSFET RVS20N65 series

RVS20N65F/S/PN ist ein N-Kanal Enhancement Mode Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, der mit der DP-MOS-Technologie von Rongtech hergestellt wird. Es erreicht geringe Leitungs- und Schaltverluste. Es führt die Konstrukteure zu ihren Stromrichtern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und überlegenem Wärmeverhalten. Darüber hinaus ist es universell einsetzbar, d.h. für harte und weiche Schaltungstopologien geeignet. FEATURES ♦20A, 650V, RosT,)=0.2i2@VGS=10V ♦New revolutionäre Hochspannungstechnologie ♦Ultra Niedrige Gate-Ladung ♦Periodic Lawine bewertet ♦Extreme dv/dt bewertet ♦High Spitzenstromfähigkeit