MOSFET RVS35N60PN
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Beschreibung
RVS35N60PN ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Verstärkungsmodus, der mit der Rongtech DP-MOS-Technologie hergestellt wird. Es erreicht geringe Leitungs- und Schaltverluste. Es führt die Konstrukteure zu ihren Stromrichtern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und überlegenem Wärmeverhalten. Darüber hinaus ist es universell einsetzbar, d.h. für harte und weiche Schaltungstopologien geeignet.
FEATURES
♦New revolutionäre Hochspannungstechnologie
♦Ultra Niedrige Gate-Ladung
♦Periodic Lawine bewertet
♦Extreme dv/dt bewertet
♦High Spitzenstromfähigkeit
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Kataloge
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Mosfet power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.