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Silizium-MOSFET RM75N08PA

Silizium-MOSFET
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Eigenschaften

Material
Silizium

Beschreibung

Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc,. Die fortschrittliche 6-Zoll-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen statischen Drain-to-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Aus diesem Grund haben diese MOSFETs einen geringen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht. Merkmal: VVDS=80V,ID=80A Rdson≦11mΩ @VGS=10V (Typ:9.0mΩ) Erweiterter sicherer Betriebsbereich Niedrige Rückwärtsübertragungskapazitäten 100% Einzelimpuls-Lawinenenergietest Anwendung -Stromschaltanwendung -DC-Motorsteuerung - USV

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Kataloge

RM75N08PA
RM75N08PA
5 Seiten
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.