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InGaAs-Fotodiode XSJ-10-DA4-70-KHRe
PIN

InGaAs-Fotodiode
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs
Installierung
PIN

Beschreibung

Beschreibung Dieser 2,5-Gbps-Photodioden-Chip ist eine planare InGaAs/InP-PIN-Struktur und ein von oben beleuchteter digitaler/analoger PD-Chip mit hoher Empfindlichkeit, dessen aktive Fläche Φ70μm groß ist. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Dunkelstrom, eine niedrige Kapazität und eine hohe Ansprechempfindlichkeit aus, wodurch eine geringere Intermodulationsverzerrung zweiter Ordnung (IMD2) und eine zusammengesetzte dreifache Schwebungsverzerrung (CTB) sowie eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit erreicht werden. Anwendung in optischen Empfängern mit 2,5 Gbit/s und darunter, EPON ONU und analogen optischen CATV-Empfängern. Merkmale Φ70μm aktive Fläche. Hohe Empfindlichkeit und hohe Linearität. Niedriger Dunkelstrom. Geringere Intermodulationsverzerrung zweiter Ordnung (IMD2) und zusammengesetzte dreifache Schwebungsverzerrung (CTB) Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen FTTH, CATV und analoge Übertragungssysteme. Einzel- oder Multimode-Glasfaserempfänger für Gigabit Ethernet, Fiber Channel und SONET/SDH. Instrumentierung.

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