InGaAs-Fotodiode XSJ-10-M-2000

PIN

Beschreibung Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit einer Anode auf der Oberseite und einer Kathode auf der Rückseite. Die aktive Fläche ist Φ2000μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm. Anwendung auf die Überwachung der optischen Leistung von der Rückseite der verschiedenen LD. Eigenschaften Planare Struktur auf n+ InP-Substrat mit oberem Anodenkontakt. Φ2000μm aktive Fläche. Hohe Verantwortung. Niedriger Dunkelstrom. Niedrige Betriebsvorspannung. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar. Anwendungen Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite der Facette.