Fotodioden Array XSJ-10-D6A-20-K4-750

Beschreibung Dieser 4X25Gbps Array 100Gbps Photodiodenchip, der von oben beleuchtet ist und eine Mesa-Struktur mit hoher Datenrate hat, ist ein digitaler PIN-Photodiodenchip mit einer aktiven Fläche von Φ20μm. Seine Eigenschaften ist hoch, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, vor allem Kombination mit hoher Leistung 4X25Gbps Vierkanal-Transimpedanzverstärker (TIA), Anwendung in langen Wellenlängen-Anwendungen, hohe Datenrate bis zu 4X25Gbps mit Single-Mode-Faser optische Empfänger. Eigenschaften Φ20μm aktive Fläche. Ground-Signal-Ground (GSG) Bondpad-Struktur, 4X25G-Array. Niedriger Dunkelstrom, geringe Kapazität, hohe Verantwortung. Datenrate: ≥ 25Gbps/Kanal. Chipabstand: 750μm. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion Anwendungen IEEE 100 Gigabit-Ethernet. 100G CWDM4，PSM4，CLR4 100G(4X25Gbps) Verbindungen. Singlemode Datenkommunikation und Telekommunikation. Glasfasertransceiver, -empfänger und -transponder.