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InGaAs-Fotodiode XSJ-10-APD3-200X
AvalanchePIN

InGaAs-Fotodiode
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, Avalanche
Installierung
PIN

Beschreibung

Beschreibung Der Avalanche-Chotodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode auf der Rückseite aus. Die Größe der von oben beleuchteten aktiven Fläche beträgt Φ200μm für eine einfache optische Montage; hohe Empfindlichkeit und niedriger Dunkelstrom. Das leistungsstarke 1.25Gbps APD-Chip-Paket für Einzelrohr TO-CAN kann die Empfindlichkeit des optischen Empfängers verbessern, Anwendungen, die OTDR. Merkmale Φ200μm aktive Fläche. Anode auf der Oberseite und Kathode auf der Rückseite. Niedriger Dunkelstrom. Ausgezeichnete Empfindlichkeit und hohe Verstärkung. Datenübertragungsrate bis zu 1,25 Gbit/s. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR). Laser-Entfernungsmesser/Entfernungsmessung. Räumliche Lichttransmission. Schwachlichterkennung. Laser-Alarmierung und LIDAR.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.