Rasterelektronenmikroskop SU9600

für Dünnschichtmessungenfür Forschungszweckefür Materialforschung

Übersicht
Das SU9600 (T)SEM ist ein modulares Hybrid-Rasterelektronenmikroskop, das extrem hochauflösendes SEM und analytisches STEM mit einer TEM-kompatiblen Probenbühne kombiniert. Es ermöglicht korrelative Untersuchungen von Oberflächen- und Transmissionsinformationen auf einer hochstabilen Plattform und unterstützt UHR-SEM, STEM, 4D-STEM*, EELS* und nano-EDS* für schnelle hochauflösende Bildgebung und multimodale Materialcharakterisierung.

Hauptmerkmale

• Integrierte UHR-SEM- und analytische STEM-Funktionen auf einer stabilen Plattform
• Ultra-hochauflösende Bildgebung von 10 V bis 30 kV für Oberflächen- und Strukturanalysen
• Cold field emission gun, Full-immersion-Objektiv und TEM-Probenbühne (0,34 nm garantiert @ 30 kV; ~0,2 nm erreichbar)

Funktionen und Vorteile

• Umfassende Detektion reflektierter und transmittierter Elektronen mit Energie- und Winkel-Filtern
• Korrelation von SE/BSE-Oberflächenkontrast mit BF/ADF/STEM-Bildgebung und spektralen Daten (EELS/EDS)
• Sub-nm-Elementaranalyse mit einem fensterlosen EDS-Detektor mit großem Raumwinkel
• Zugang zu erweiterten Materialeigenschaftsmessungen mittels EELS und 4D-STEM

Technische Details

• Nächste Generation der Cold-Feld-Emission mit NEG für hohe Helligkeit und reduzierte chromatische Aberration (EELS-Option)
• Vollimmersionsobjektiv kombiniert mit TEM-ähnlicher Bühne für optimale Auflösung und mechanische Stabilität
• Hochauflösende Bildgebung im Bereich 0,5–30 kV (0,34 nm garantiert @ 30 kV; ~0,2 nm erreichbar)
• TEM-Bühne und Double-Tilt-Halter für schnelle Orientierung von Querschnitten und Zonenachsen-Alignment (optional)
• Kompatibilität mit Kryo- und MEMS-Haltern (optional)

Analytische Möglichkeiten

• Sub-nm EDS mit fensterlosem Detektor und großem Raumwinkel zur schnellen nanoskaligen Elementkartierung
• 4D-STEM mit schneller Direkt-Elektronendetektion für DPC, Ptychographie sowie Dehnungs- und Phasenmapping; virtuelle Blenden erzeugen BF/DF/selektierte Beugungsbilder
• EELS bei niedrigem kV: Live-Elementbilder, Kernverlust- und Plasmonenspektroskopie; Cold FEG ermöglicht ~0,35 eV Energieauflösung

Anwendungen

• Nanomaterialien: Elementverteilungskartierung, Nanodraht-Analyse, Gitterabbildung
• Dünne Filme: Oberflächenmorphologie und Kornstruktur-Analyse
• Elementaranalyse: nanoskalige Zusammensetzung und Kartierung (z. B. Ag/Cu-Systeme)
• Halbleiter: atomare Gitteraufnahmen und Beugungsanalyse

Spezifikationen
SE-Bildauflösung: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ landing 1 kV (mit optionalem Dekelerationshalter und Top-Detektor)
STEM-Bildauflösung: 0,34 nm @ 30 kV (Gitterabbildung, optional)
Beschleunigungsspannung: 0,5 bis 30 kV
Landing-Spannung: 0,01 bis 20 kV
Elektrische Bildverschiebung: bis ±5 mm (Probenhöhe = 0,0 mm)
Bühnenfahrbereich: X: ±4,0 mm, Y: ±2,0 mm, Z: ±0,3 mm, T: ±40°
Probenmaß - Flachbühne: 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H) max
Probenmaß - Querschnittsbühne: 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H) max

Hinweise
* Optional, wo angegeben. Funktionen wie 4D-STEM, EELS und bestimmte Halter können je nach Konfiguration optional sein.