Dieser neue Erzeugung MOSFET ist entworfen worden, um den onstate Widerstand (RDS (an)) herabzusetzen und doch behalten Sie die überlegene Schaltung Leistung bei und ihn ideal bilden für hohe Leistungsfähigkeit Energie Managementanwendungen.
Eigenschaften und Nutzen
Niedriges RDS (AN) stellt auf Zustandverlusten werden herabgesetzt sicher
0.4mm Profil ideal für Anwendungen des niedrigen Profils
PWB Abdruck von 4mm2
Niedrige Eingang Kapazitanz
ESD geschütztes Gatter
Leitung, Halogen und Antimon frei, RoHS gefällig
?Grün-? Vorrichtung
Qualifiziert zu den Standards AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit
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