IGBT-Fototransistor H11 seriesSchaltSMDGaAs
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
- Weitere Eigenschaften
- Silizium, SMD, GaAs
- Strom
50,5 A, 60 A, 75 A
- Spannung
Min: 32 V
Max: 300 V
Beschreibung
Optokoppler, Fototransistorausgang, mit Basisanschluss, hohe BVCEO-Spannung
MERKMALE
Sehr hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung BVCEO
Isolationsprüfspannung: 5000 VRMS
Niedrige Kopplungskapazität
ANWENDUNGEN
Telekommunikation
Industrielle Steuerungen
Batteriebetriebene Geräte
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.