MOCVD-Auftragsmaschine Propel™ Power

Dünnschicht

Ein-Wafer-Reaktor-Technologie zur Ermöglichung effizienter, GaN-basierter Leistungsbauelemente Die Propel™ Power GaN MOCVD-Anlage von Veeco wurde speziell für die Leistungselektronikindustrie entwickelt. Mit einer Single-Wafer-Reaktorplattform, die in der Lage ist, 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafer zu verarbeiten, werden hochwertige GaN-Schichten für die Herstellung hocheffizienter Leistungselektronik aufgebracht. Der Single-Wafer-Reaktor basiert auf Veecos führendem TurboDisc®-Design mit bahnbrechender Technologie, einschließlich der neuen Technologien IsoFlange™ und SymmHeat™, die eine homogene laminare Strömung und ein einheitliches Temperaturprofil über den gesamten Wafer ermöglichen. Kunden können Prozesse von Veeco K465i™ und MaxBright™ Systemen einfach auf die Propel Power GaN MOCVD Plattform übertragen. Hervorragende Filmgleichmäßigkeit, Ausbeute und Geräteleistung Ausgestattet mit langen Kampagnenläufen und partikelarmen Defekten für außergewöhnliche Ausbeute und Flexibilität Schnelle Lernzyklen beschleunigen den Übergang von GaN-on-Si F&E zu High-Volume-Produktionen Modularer Aufbau für einfache Konfiguration, Bedienung und Wartung