Messsystem / kritische Dimension MT3000 VIS/UV

optischrobotisiertfür Wafer

Überlagerung Die Überlagerung ist ein Verfahren zur Angleichung der oberen Schicht an die untere Schicht. Der Überlagerungsfehler ist definiert als die Abweichung zwischen diesen beiden Schichten. Die Messung des Überlagerungsfehlers ist ein bildgebendes Verfahren zur Berechnung der Abweichung an zwei verschiedenen Überlagerungsmarken, die meist durch unterschiedliche Verfahren erzeugt werden und aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Für die Überlagerungsmessung werden Box-in-Box, Frame-in-Frame, L-Bars, Circle-in-Circle, Cross-in-Cross oder kundenspezifische Strukturen unterstützt. Kritische Dimension Die optische Messung ist eine berührungslose, zerstörungsfreie Messtechnik, die präzise und schnell ist. Die Strukturbreite kann durch Extraktion von Intensitätsinformationen aus Bildern berechnet werden. Die Intensitätsbilder sollten so verarbeitet werden, dass sie nicht durch Rauschen oder Verformung beeinträchtigt werden. Das Metrologiesystem von TZTEK bietet die Funktion, solche Störungen zu beseitigen. Bei einer Strukturbreite von weniger als 0,7 μm kann UV-Licht eingesetzt werden. Schichtdicke Das System ist für die Messung der Dicke von transparenten oder halbtransparenten dielektrischen Schichten (Resist) mit bis zu drei Schichten ausgelegt. Die automatische Kalibrierungsfunktion ist integriert. hauptmerkmale -Messung von kritischen Abmessungen, Überlagerung -Anpassung verfügbar für OC, SMIF und FOUP -Verfügbar für Wafergröße 200/300 mm und die Kombination unsichtbares Licht und UV-Licht sind optional -SECS/GEM