Schleifteller für Einkerbungen

zylinderförmigDiamant Metallbindemittelfür Wafer

Kerbenrad für Halbleiterwafer Metallbond-Kerbscheibe für Halbleiterwafer *Werkstoffe: Halbleiterwafer (Silizium, SiC, GaAs, Saphir usw.) *Anwendung: Kerbschleifen [Spezifikationen] Korngröße : #400 - #3000 Außendurchmesser: bis zu 4D (Min 2D) Toleranz des Schaftdurchmessers: h6 Gesamtlänge: bis zu 35L Genauigkeit der Durchbiegung: ≧ 5 um @Min. Toleranz der Nutenform : ≧ 1 Grad @ Öffnungswinkel Anzahl der Nuten : Bis zu 5 Nuten Diese Diamantscheibe wird für das hochpräzise Kerbschleifen von Halbleiterwafern verwendet. Unsere originelle Bearbeitungstechnologie und der hochpräzise Teil der Diamantscheibe gegen den Schaft sorgen für einen geringeren Rundlauf. Scheiben mit verschiedenen Spezifikationen, wie z.B. eine Scheibe mit optimierter Rillenform für Saphirwafer oder eine Scheibe für das Schleifen von Spiegelkanten, sind ebenfalls erhältlich. Längere Lebensdauer von Schlichtkerbscheiben für Siliziumwafer (Ausgabe) Die Anforderungen an die Qualität im Kerbbereich von Siliziumwafern steigen von Jahr zu Jahr, und es werden zunehmend Kerbschleifscheiben mit einer höheren Körnungszahl eingesetzt. [Lösung] Obwohl die Lebensdauer der Kerbscheibe aufgrund der höheren Körnungszahl tendenziell kürzer wird, kann die Lebensdauer durch Verbesserung der Härte und Festigkeit der Kerbscheibenbindung erhöht werden. Darüber hinaus ermöglicht der Einsatz unserer Original-Abrichttechnologie AD-C eine weitere Verbesserung der Standzeit. Wir können Kerbscheiben anbieten, die mit verschiedenen Arten von Wafern, einschließlich Verbundhalbleitern, kompatibel sind. Wir arbeiten auch an der Entwicklung von hochpräzisen Fasenrädern und Kerbrädern für Siliziumwafer.