Drahtschneidemaschine GC-800XC
für monokristallines Siliziumfür Wafermit Betriebssoftware

Drahtschneidemaschine - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - für monokristallines Silizium / für Wafer / mit Betriebssoftware
Drahtschneidemaschine - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - für monokristallines Silizium / für Wafer / mit Betriebssoftware
Drahtschneidemaschine - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - für monokristallines Silizium / für Wafer / mit Betriebssoftware - Bild - 2
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Eigenschaften

Technologie
Draht
Bearbeitetes Material
für monokristallines Silizium
Bearbeitetes Produkt
für Wafer
Steuerung
mit Betriebssoftware
Anwendung
für die Mikroelektronik
Weitere Eigenschaften
automatisch, Hochpräzision, hohe Effizienz
X-Hub

Min: 315 mm
(12,4 in)

Max: 455 mm
(17,91 in)

Maximale Schnitthöhe

950 mm
(37,4 in)

Schnittgeschwindigkeit

2.600 m/min

Gesamtlänge

5.110 mm
(201 in)

Gesamtbreite

Min: 166 mm
(7 in)

Max: 230 mm
(9 in)

Höhe

3.275 mm
(129 in)

Gewicht

12.500 kg
(27.557,78 lb)

Beschreibung

Produktvorstellung
Maschine für den Slicing-Schritt der Herstellung von kristallinen Siliziumwafern, auf den Markt gebracht im November 2024. Das verstellbare Klemmen-/Achsabstand-Design ermöglicht die Bearbeitung mehrerer Wafer-/Stabendmaße (16X / 18X / 210 / 220 / 230 mm) und erfüllt die Entwicklungsanforderungen neuer Zelltypen (HJT, TOPCon) wie größere Formate, dünne Scheiben, Halbzellen und rechteckige Wafer.

Hauptmerkmale
Der GC-800XC verwendet eine neue Anordnung des Schneidbereichs mit einer maximalen Lingot-Aufnahmekapazität von 950 mm. Die Schneidkonfiguration erlaubt Mehrstufen-Achsabstände von 315 mm – 370 mm – 400 mm – 455 mm bei einer Drahtgeschwindigkeit bis zu 2600 m/min. Ein leichtes, hochpräzises Drahtführungssystem verringert Spannungsfluktuationen; die zusätzliche Maschinenspannung beträgt < 1 N und die Gesamtabrissrate < 5 %. Die Maschine ermöglicht stabiles Schneiden bei Drahtdurchmessern von 18 μm und darunter, hat einen niedrigen Gesamtenergieverbrauch und bietet mehrere Automatisierungsschnittstellen für intelligente, datengetriebene Produktionssteuerung.

Produktparameter
Größe des Siliziumlings: □166 ~ □230 × LMax.950 mm (kompatibel mit Halbwafer)
Maximale Bandgeschwindigkeit: 2600 m/min
Achsabstand: 315 ~ 455 mm
Speicherkapazität (Draht): 240 km
Geräteabmessungen (ca.): 5110 × 2481 × 3275 mm
Gerätegewicht (ca.): 12.500 kg

Technische Spezifikationen
  • Modellbezeichnung: GC-800XC
  • Anwendung: Slicing-Phase für die Herstellung von kristallinen Siliziumwafern
  • Maximale Lingot-Aufnahmekapazität: 950 mm
  • Unterstützte Wafer/Stabgrößen: □166 ~ □230; unterstützt 16X/18X/210/220/230 mm und Halbwafer
  • Drahtgeschwindigkeit (max.): 2600 m/min
  • Achsabstandsmodi: Mehrstufig 315 mm – 370 mm – 400 mm – 455 mm
  • Zusätzliche Maschinenspannung: < 1 N
  • Gesamte Bruchrate des Drahts: < 5 %
  • Drahtdurchmesser-Fähigkeit: stabiles Schneiden bei 18 μm und darunter
  • Speicherkapazität (Draht): 240 km
  • Geräteabmessungen (ca.): 5110 × 2481 × 3275 mm
  • Gerätegewicht (ca.): 12.500 kg
  • Merkmale: leichtes hochpräzises Drahtführungssystem, geringer Energieverbrauch, Automatisierungsschnittstellen für intelligente Produktion und datengetriebene Steuerung
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.