ProduktübersichtDie GC-KM202 ist für mehrere Bearbeitungsstufen von Siliziumstäben in der Waferfertigung konzipiert, darunter Viereckbearbeitung (squaring), Fasen, Schleifen und Polieren. Siliziumstäbe werden in einem Arbeitsschritt geladen und gespannt. Eine hochpräzise Drehtischlösung gewährleistet die exakte Positionierung über mehrere Stationen, sodass alle Bearbeitungsschritte mit minimalem Materialverlust ausgeführt werden können; Viereckrandmaß pro Seite ≤0,2 mm.
Anwendungen- Viereckbearbeitung von Siliziumstäben
- Anfasen zur verbesserten Handhabung und Folgeprozessen
- Schleifen zur form- und oberflächenmäßigen Vorbereitung
- Polieren zur Erreichung geforderter Oberflächenrauheit
Produktparameter- Viereckrandmaß (einseitig) — ≤0,2 mm
- Bearbeitungseffizienz — 29 min (Beispiel: 830 mm lange M10-Bogenstange)
- Maßtoleranz — ±0,04 mm
- Oberflächenrauheit — Ra ≤ 0,1 μm
Zugehörige Produkte- GC-MJ101R-3 Monokristall-Trennmaschine
- GC-MJ201R-3 Monokristall-Trennmaschine
- GC-MJ101RW Monokristall-Trennmaschine
- GC-GP950L Monokristall-Schleif- und Poliermaschine
Merkmale / Technische Spezifikationen- Modell: GC-KM202
- Integrierter Prozessumfang: Viereckbearbeitung, Fasen, Schleifen, Polieren
- Ein-Schritt-Beladung und -Spannung der Siliziumstäbe
- Hochpräziser Drehtisch zur exakten Positionierung über mehrere Stationen
- Viereckrandmaß (einseitig) ≤0,2 mm zur Minimierung des Siliziumverlusts
- Beispiel Bearbeitungseffizienz: 29 Minuten für eine 830 mm lange M10-Bogenstange
- Maßtoleranz: ±0,04 mm
- Oberflächenrauheit: Ra ≤ 0,1 μm