Dieses Gerät erhöht den Wirkungsgrad durch die Abscheidung einer dünnen Al2O3-Schicht auf der Vorderseite des Wafers einer kristallinen Solarzelle durch thermische Atomlagenabscheidung (ALD) zur Bildung einer Passivierungsschicht.
Spezifikation
Hoher Durchsatz: 12.800 Wafer/Stunde (1.600 Wafer/Boot)
Zykluszeit: 30 min
Betriebszeit: 97 %
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