Vakuum-Beschichtungsanlage / für Elektronik LTE

für Elektronenkanone

Übersicht
Die LEYBOLD OPTICS LTE series ist eine Long‑Throw‑Vakuumbeschichtungsanlage, entwickelt für nanometergenaue strukturierte Features und Lift‑Off‑Metallisierungen. Sie ist auf Halbleiterfertigung und F&E ausgelegt und ermöglicht nahezu senkrechte, richtungsgebundene Abscheidungen mit hoher Gleichmäßigkeit.

Hauptvorteile

• Optimale Beschichtungsqualität: hochpräzise Beschichtungen auf strukturierten Wafern mit reduziertem Schattenwurf für anspruchsvolle 3D‑Strukturen.
• Service und Expertise: Zugriff auf Leybold Optics / Bühler Know‑how in Dünnschichttechnologie und weltweites Servicenetz.
• Flexibilität: Verdampfung von Metallen und Oxiden, Unterstützung mehrerer Wafergrößen und hohe Materialdurchsätze; vollständig anpassbar.

Besondere Merkmale

• Fortschrittliche Long‑Throw‑Geometrie mit Quelle‑zu‑Dom Abstand von 1,3 m für verbesserte Substratabdeckung und Mustertreue.
• Anpassbarer Dom/Substrathandling für bis zu 6 × 150 mm (200 mm Option auf Anfrage).
• Kombination aus Elektronenstrahlquelle und Plasmaquelle für Plasma‑Impulse Atomic Deposition (PIAD) — bessere Haftung und Dickenkontrolle.
• Präzisionssystem für senkrechte Abscheidung, ausgelegt für nahezu senkrechte Winkel und höchste Gleichmäßigkeit.

Lift‑off / Metallisierungsprozess

• Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)
• Beschichtung mit Fotolack
• Strukturierte Dünnschichtabscheidung
• Metall‑Lift‑off

Anwendungen

• Halbleiterfertigung
• Mikro‑ und Optoelektronik
• Forschung & Entwicklung sowie Pilotfertigung mit nanometrischem Patterning

Services & Schulungen
Installation, Prozesssupport, Wartung und Anwenderschulungen sind verfügbar, um die LTE series in Produktions- und F&E‑Umgebungen zu integrieren.

Technische Daten / Spezifikationen

• Produktfamilie: LEYBOLD OPTICS LTE series
• Technologie: Long‑Throw‑Verdampfung (PVD) mit Unterstützung von Elektronenstrahl + Plasma (PIAD)
• Quelle‑zu‑Dom Abstand: 1,3 m
• Substratkapazität: bis zu 6 × 150 mm (200 mm Option auf Anfrage)
• Unterstützte Wafergrößen: 1–6 Zoll Standard; 8 und 12 Zoll auf Anfrage
• Materialien: Metalle (Lift‑Off) und Oxide; geeignet für hohe Materialvolumina
• Abscheidegeometrie: nahezu senkrechte, richtungsgebundene Abscheidung zur Minimierung von Schatteneffekten
• Hauptanwendungen: Halbleiterfertigung, Mikro-/Optoelektronik, F&E