AL Auftragsmaschine ALD 1200

Dünnschichtrobotisiertoptisch

Übersicht Erleben Sie das innovativste Atomic Layer Deposition System für optische Beschichtungen - das Leybold Optics ALD 1200. Plasma-unterstützte räumliche ALD für doppelseitige, ultra-gleichmäßige Schichten auf bis zu 8x ⌀300 mm Substraten. Das System liefert ultradünne, dichte und spannungskontrollierte Schichten auf mikrostrukturierten und gekrümmten 3D-Substraten - beidseitig in einem einzigen Durchgang. Mit hohen Abscheideraten auf 8 Substraten von bis zu 300 mm, Prozesstemperaturen von 50-230°C und vollständig anpassbaren Lösungen für die Waferhandhabung kombiniert sie klassenbeste Konformität mit Durchsatz und Sauberkeit in Halbleiterqualität. Schlüsselvorteile

• Präzision auf jeder Oberfläche: Ultradünne konforme Beschichtungen auf nanostrukturierten und gekrümmten 3D-Substraten
• Optimiert für hohen Durchsatz: Räumliche Trennung der Gase erhöht die Wachstumsraten; Produktion mehrerer Wafer in einem einzigen Durchgang
• Maßgeschneidert auf Ihre Bedürfnisse: Beidseitige Beschichtungen ohne Wenden, wodurch die Zykluszeit und das Partikelrisiko reduziert werden
• Materialflexibilität: Hohe Materialflexibilität mit effizienter Precursor-Nutzung für kosteneffiziente Skalierung
• In-situ optische Überwachung: OMS 6000 Closed-Loop-Steuerung für komplexe Mehrschichtstapel mit wiederholbaren Ergebnissen
• Vollständige Integration in die Fertigung: SMIF und FOUP automatisiertes Wafer-Handling; SEMI S2/S8-konform; SECS:GEM-kompatibel

Hervorzuhebende Merkmale

• Hohe Abscheideraten von bis zu 0,5 nm/s auf 8 Substraten
• Skalierbare Formate bis zu 300 mm Substratgröße; Ungleichmäßigkeiten < ±1.0% auf 300 mm
• Hohe Konformität und spannungsneutrale Beschichtungen
• Plasmagestützte niedrige Abscheidungstemperatur < 100°C für temperaturempfindliche Substrate
• Unterstützung von bis zu 4 verschiedenen Precursoren
• Fab-ready Sauberkeit mit niedrigen Partikeln, zugeschnitten auf Präzisionsoptik und Halbleiterlinien
• In-situ optisches Überwachungssystem OMS 6000

Anwendungen Die ALD 1200 ist ideal für Anwendungen, die ultra-gleichmäßige, pinhole-freie Beschichtungen auf komplexen Strukturen oder 3D-Substraten wie stark gekrümmten Linsen und Strukturen mit hohem Aspektverhältnis erfordern. Typische Anwendungsbereiche sind:

• Halbleiterfertigung (Hartmasken, Trench-Filling, Gate-Oxide, Verkapselung)
• Präzisionsoptik und photonische Integration (PICs, Meta-Oberflächen, diffraktive optische Elemente)
• Sensorik (Näherungssensoren, hyperspektrale Bildgebung, LiDAR, CIS)
• Beleuchtung und Display (LED, microLED, VCSEL, OLED)
• Life Science (Mikroskopie, Endoskopie)
• Konsumentenoptik (Smartphone- und Kameraobjektive, AR-Brillen)

Beschichtungsverfahren

• Filter
• Spiegel
• AR-Beschichtungen
• Grabenfüllung
• Barriereschichten
• Gate-Oxide

Materialien (Beispiele)

• SiO2 und verschiedene Oxidmaterialien
• TCO-Materialgruppe und andere Materialien auf Anfrage

FAQ - Gut zu wissen

• Wann sollte man ALD verwenden? Wenn optische Qualität, Barriereintegrität und 3D-Gleichmäßigkeit entscheidend sind. Plasmaunterstützte räumliche ALD erzeugt dichte, spannungsneutrale Schichten bei niedrigen Temperaturen mit präziser und wiederholbarer Schichtkontrolle.
• Wie funktioniert räumliche ALD? Bei der räumlichen ALD werden dünne Schichten durch wiederholte, selbstbegrenzende Oberflächenreaktionen abgeschieden: Vorläuferstoffe werden auf dem Substrat chemisorbiert, in der Plasmazone modifiziert und Schicht für Schicht abgeschieden, um eine präzise Kontrolle der Schichtdicke und eine gleichmäßige Bedeckung zu gewährleisten.
• Vorteile gegenüber Sputtern/Bedampfen: ALD bietet überlegene Konformität, lochfreie Schichten und Spannungskontrolle auf komplexen 3D-Substraten.

Karakteristika / technische Daten

• Modell: ALD 1200 (Leybold Optics)
• Abscheidungsverfahren: Plasma-Enhanced Spatial ALD, plasmaunterstützt, doppelseitig in einem Durchgang
• Substratkapazität: Multi-Wafer (bis zu 8 Substrate)
• Maximal unterstützte Substratgröße: Ø 300 mm
• Abscheidungsrate: bis zu 0,5 nm/s auf 8 Substraten
• Prozesstemperaturbereich: 50-230°C; plasmaunterstützte Niedertemperaturoption < 100°C für temperaturempfindliche Substrate
• Dickengleichmäßigkeit: Ungleichmäßigkeiten < ±1,0% auf 300 mm (typisch)
• Vorläufer: Unterstützung für bis zu 4 verschiedene Vorläufer
• Steuerung: Optische In-situ-Überwachung OMS 6000 für die Closed-Loop-Kontrolle von Multilayer-Stapeln
• Sauberkeit: Fab-Ready-Sauberkeit mit niedrigen Partikelwerten, zugeschnitten auf Präzisionsoptik und Halbleiterlinien
• Integration: SMIF und FOUP automatisiertes Wafer-Handling; SEMI S2/S8-konform; SECS:GEM-kompatibel
• Zielanwendungen: Halbleiterbauelemente, Präzisionsoptik, photonische Integration, Sensorik, Beleuchtung/Display, Life Science, Verbraucheroptik