Germanium PIN u. APDs vorhanden in den Standard- und kundenspezifischen Größen und in den Paketen. Standaed Wahlen sind unten aufgeführt; mit uns für kundengebundene Produkte in Verbindung treten.
Foto-dioden
PD-LD, Inc. bietet eine Vielzahl von Eich-massem und kundenspezifischem VORSTECK-STIFTEM Foto-diodenem und von APDs in Faser verbundenen Paketen an. Unsere Silikonvorrichtungen, die das optische Spektrum von 400 zu 1100nm Schutz-ausrüstung sind, InGaAs ist von 1100 zu 1650nm optimal und Germanium ist von 800 für 2100nm verwendbar. Alle diese Vorrichtungen sind in Faser pigtailed ...
PD-LD Inc. bietet 2 Größen der großes Gebiet Silikon-Lawinen-Fotodioden in einigen Arten der Faser verbundenen Pakete an. Die Halbleiter sind in zwei Standardgrößen vorhanden: Beschriftungsbereiche von 1500 Mikron oder 3000 Mikron Durchmesser. Unsere Silikon APDs Abdeckung das optische Spektrum von 550 Nanometer bis 1050 Nanometer und werden für Höchstleistung im 880nm zur Region 905nm optimiert. ...
InGaAs-APDs sind für die Spektralstrecke von 1100 Nanometer bis 1700 Nanometer verwendbar. Verglichen mit Germanium APDs, kennzeichnen sie ein erheblich verbessertes Geräuschverhältnis, eine höhere Bandbreite in Beziehung zu dem Beschriftungsbereich, und Vorteile, resultierend aus der erhöhten Empfindlichkeit von bis 1700 Nanometer.
Fotodioden sind Schlüsselkomponenten vom optoelektronischen. Ihre Vorwähler und Qualität stellen in hohem Grade die Qualität des Maßresultats fest. Laser-BESTANDTEILE liefert das rechte Detektormaterial für jede Spektralstrecke, von UV an den weiten IR und, auf die Anfrage, an die jeweilige Anwendung mit Elektronik und einem optischen Filter gepasst.
Silikon-Lawinen-Fotodioden 200 - 1100 Nanometer
Da die Grundlage von Laser Components Detector Group Inc. in 2004 wir ein Warenangebot errichtet haben, das Qualität APDs sowie Versionen der niedrigen Kosten enthält. Der Beschriftungsbereich reicht von den Durchmessern von µm 230 bis 3.0 Millimeter. APDs mit sogar größeren Bereichen (5 Millimeter, 10 Millimeter und 16 Millimeter) werden von ...
Der Rf Fotodiode Empfänger ist ein schneller optischer Detektor. Er schließt eine schnelle Fotodiode mit einem Transportwiderstand (Gegenwärtig-zu-Spannung) Verstärker mit ein. Er ist für das Ermitteln der kleinen Umfang Energie Fluktuationen von Laser radition bestimmt.
Der ausgeglichene Fotodiode Empfänger ist ein schneller optischer Detektor. Er schließt zwei schnelle Fotodioden mit einem Unterschiedverstärker mit ein. Er ist für das Vergleichen von von Energie Unterschieden zwischen zwei aufeinander bezog optische Signale bestimmt. Das Resultat ist eine wirkungsvolle Beseitigung fast aller Geräusche von einer spektralanalytischen Analyse.
VTP485S - Schnelle Antwort, hohe Dunkelwiderstand-Fotodiode
Planares Silikon des großen Gebiets brachte an einem keramischen Substrat mit zwei Bleiarten an und beschichtete mit einer Schicht freiem Epoxy-Kleber. Niedrige Verzweigungskapazitanz ermöglicht schnelle Antwortzeit.
Fotodioden
PerkinElmer verwendet Silikon- und InGaAsmaterialien, damit ihre Fotodioden Abfragung von 220 Nanometer zu 1700nm zur Verfügung stellen. Diese Vorrichtungen werden in einer Vielzahl von Größen angeboten, um Kundenempfindlichkeits- und -geschwindigkeitsanforderungen zu genügen. Zusätzliche Vorverstärker- und Filterwahlen sind vorhanden, die Vorrichtung herzustellen, um spezifischen ...
InGaAs PIN-Fotodioden
Qualitäts-Indium-Galliumarsenid (InGaAs)fotodioden entwarfen für die 900 Nanometer zur Region der Wellenlänge 1700nm.
Detektoren der Reihe J16 sind das hochwertige Foto-diodene Germanium
entworfen für die 800 zum 1800nm Wellenlängenbereich. Für Anwendungen
wo Temperaturbeständigkeit der Antwort die Abkürzung wichtiges nahes ist,
thermoelectrically abgekühlte Detektoren sind vorhanden.
HgCdTe ist ein dreifaches Halbleitermittel, das eine Wellenlängeabkürzung aufweist, die zum Legierungsaufbau proportional ist. Der tatsächliche Detektor besteht aus einer Dünnschicht (10 bis µm 20) von HgCdTe mit den metallisierten Kontaktauflagen, die den Beschriftungsbereich definieren. Photonen mit der Energie, die als die Halbleiter Bandabstand Energie grösser ist, regen Elektronen in das Leitungsband ...
Detektoren der Reihe J12 sind das hochwertige Indium-Arsenmetall, das für Gebrauch im 1 bis 3.8 µm Wellenlängenbereich Foto-dioden ist. Das Ersatzschaltbild ist eine Photon-erzeugte gegenwärtige Quelle Iph mit parallelem Kapazitanz Cd, Shuntwiderstand Rd und Reihe des Widerstands Rs (Feige. 1). Das Ausgangssignal gegenwärtige IS-IS wie definiert:
= ist Iph Rd/Rd + Rs + Rload
Rd ...
Lärmarmer, niedriger Dunkelstrom, hohe Antwort
Das Sd 012-11-41-211 ist eine InGaAs Eigenschaften der hohen Empfindlichkeit lärmarme Fotodiode, die in einem verbleiten hermetischen Paket des Metall TO-46 verpackt wird
Diese planaren zerstreuten Fotodioden sind entweder für den fotoleitenden (niedrige Kapazitanz, Hochgeschwindigkeitsanwendungen) oder photo-voltaischen Betrieb bestimmt (lärmarm, DC-Anwendungen). Fotodioden sind Halbleiter, die einen Strom oder eine Spannung erzeugen, wenn sie durch Licht belichtet werden. Sie haben keinen internen Gewinn, aber können mit viel grösseren Dynamikwerten als andere Arten ...
Diese UV-Sensoren des Gallium-Nitrids (GaN) sind für Gebrauch in der Spektralregion von 200 Nanometer bis 400 Nanometer bestimmt, in denen maximale Quanten-Leistungsfähigkeit an diesen Wellenlängen angefordert wird. Diese Vorrichtungen sind in ihrem Widerstand zur UVverminderung als traditionelle Silikonfotodioden bei der Lieferung grösseres photocurrent an den kürzeren Wellenlängen robuster.
Ein ausgeglichener Detektor besteht aus zwei well-matched Fotodetektoren, damit ein differenzielles nicht subtrahiert verstärkt wird. Ausgeglichene photoreceivers sind in den Anwendungen wie Absorptionsspektroskopie besonders nützlich, oder Überlagererabfragung überall haben Sie ein schwaches Signal und müssen Restintensitätsgeräusche heraus annullieren.
Einzeln-Element planar-zerstreute Silikonfotodioden sind für universelle mittlere Geschwindigkeits- Anwendungen ideal.
* Niedriger Dunkelstrom und hohe Linearitäten stellen genaue Abfragung der Energienniveaus von sichtbarem in near-infrared sicher.
* 10 mm2 und 100 Fotodioden des Silikons mm2 kommen in ein schroffes BNC-konfektioniertes Gehäuse, das 25 Millimeterdurchmesser Bandpassfilter ...
Das QSE773 ist eine Silikon PIN-Fotodiode, die in einem Infrarot, transparentes, schwarzes, Plastiksidelooker Paket eingekapselt wird.
Eigenschaften
* Tageslichtfilter
* Sidelooker Paket
* Pin-Fotodiode
* Breiter Aufnahmewinkel, 120°
* Spangröße = .1072 Zoll (2.712 Millimeter)
iC212 HochgeschwindigkeitsPhotoreceiver mit Fotodiode Si-PIN - (neue) Anwendungen
* Schneller Impuls und vorübergehendes Maß
* Optisches Auslösen
* Optisches Vorderseiten für Oszillographen
Eigenschaften
* Bandbreite DC... 1.4 Gigahertz
* Si-PIN-Detektor, Ø 0.4 Millimeter-Beschriftungsbereichdurchmesser
* Spektralwartestrecke λ ...
Strom-/Spannungs-Umwandlungs-Verstärker für CD optische Aufnahmen
Monolithisches IC MM1729XB
Dieses IC ist ein Strom/eine Spannung, die den Verstärker umwandelt, der für optische Aufnahmen der Digitalschallplatte einschließlich Fotodiodenelemente entwickelt wird.
Eigenschaften:
- Integriertes TIA (Transport-Widerstand-Verstärker)
- Hoher Gewinn und hohe Empfindlichkeit
- MSA gefälliges XMD (10 Gbit/s Minivorrichtung)
Anwendungen:
- Systeme der Übertragung OC-192 und STM-64 (10Gbit/s)
- Fernbeförderung und Metropolitan-DWDM Systeme
- Kleine Form Transponder und Transceiver
Pin-Silikon-Fotodioden
Die OP913WSL jedes bestehen aus einer PIN-Silikonfotodiode, die in ein wo-verbleites, luftdicht verschlossenem Paket TO-5 angebracht wird. Der lensing Effekt von thr OP013SL erlaubt einen Akzeptanzwinkel von 10 Grad, der von der optischen Mittellinie zum Halbkraftpunkt gemessen wird. Das flache Objektiv des OP913WSL hat einen halben Winkel der Annahme von 30 Grad. ...
KENNZEICHNET ･ Linearitäten von EE gegen IL
･ Niedriger Dunkelstrom
･ Schmale eckige Antwort
･ Hohe Zuverlässigkeit in fordernden Umwelt (Metall kann verpacken), ANWENDUNGEN ･ LWL-Schalter
･ Rand-Abfragung
･ Faser-optische Nachrichtenübertragungen
･ Rauchmelder
Pin-Fotodioden für Hochgeschwindigkeitsanwendungen:
- SMT PIN-Fotodioden
- Pin-Fotodioden innen durch Lochpaket
- Fotodioden für spezielle Anwendungen
- Ultraschnelle PIN-Fotodioden
Eine Strecke der UV-Sensoren, die zum sichtbaren Spektrum tatsächlich blind sind, wird von Scitec Instruments verteilt. Andere angebotene UVprodukte schließen UVprüfspitzen, Strom-/Spannungsverstärker, Kontrolleure und Monitoren und UVlampen ein.
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Das TSL2580 ist Licht-zu-digitale Konverter der sehr-hohen Empfindlichkeit, die Lichtintensität zu einem ausgegebenen fähigen des digitalen Signals zur direkten SMBus Schnittstelle umwandeln. Jede Vorrichtung kombiniert eine Breitbandfotodiode (sichtbar plus Infrarot) und eine Infrarot-reagierenfotodiode auf einer einzelnen CMOS-integrierten Schaltung, die zur Lieferung einer nah-photopischen Antwort ...
BPW21R ist eine planare Silikon PN-Fotodiode in einem luftdicht verschlossenen Fall des Kurzschlusses TO-5, besonders entworfen für Höhe
lineare Anwendungen der Präzision.
Wegen seines extrem hohen Dunkelwiderstands, ist der Kurzschluss, der photocurrent ist, in sieben Dekaden des Ablichtungsniveaus linear.
Einerseits, gibt es eine ausschließlich logarithmische Wechselbeziehung zwischen ...
1N100A
Anwendungen
AM/FM Detektoren Verhältnisdetektoren
FM Modulationsumwandler Fernsehprüft audiodetektoren Rf-Eingang
Fernsehvideodetektoren
EIGENSCHAFTEN
* Paketkonfigurationen: XMD-MSA Typ 1 gefällig
* Lc-Aufnahmewanne elektrisch lokalisiert für Art LC-Rece
* Lc-, Sc-und MU-Verbindungsstück vorhanden für Zopfart
* Hohe Empfindlichkeit: dBm -28.3 (typ.)
* Überlastung: -4 dBm (typ.)
* +3.3V lärmarmer transimpedance Verstärker
* Transimpedance Gewinn: kOhm 4 (Differenzial)
* Energienableitung: ...
